各点温差大，说明上层触媒活性好，在上层反应的CH4少，有相当一部分甲烷在中下部反应，这样CH4就反应不完全，出口CH4就往往超指标
各点温差大，说明上层触媒活性好，在上层反应的CH4少，有相当一部分甲烷在中下部反应，这样CH4就反应不完全，出口CH4就往往超指标
相关考题：
若有以下变量和函数说明:includecharCh='*';void sub(int x,int y,char ch,double* 若有以下变量和函数说明： #include＜iostream.h＞ charCh='*'； void sub(int x，int y,char ch，double*Z) { switch(ch) { case'+':*Z=x+y;break； case'-':*Z=x-y;break： case'*':*Z=x*y;break； case'/':*z=x/y;break： } } 以下合法的函数调用语句是( )。A．sub(10，20，Ch，y)；B．sub(1.2+3，2*2，'+'，Z)；C．sub(sub(1，2，'+'，y)，sub(3，4'+'，x)，'-'，y)；D．sub(a，b，x,ch)；
CH4与H2O、CO2的转化反应是吸热反应，转化反应主要由氧气与焦炉气中H2、在燃烧室的燃烧反应来供热量，在触媒层中，氧气已烧光了，CH4与H2O的转化反应，反应温度由触媒层供给，某一层触媒中反应的CH4愈多，温差就愈大。
如何保证转化出口CH4＜0.5%（）A、提高温度有利于反应向右进行，故控制好氧碳比，维持好氧气浓度，控制好转化炉入口温度及床层温度是关键。B、增加水蒸汽有利于生成CO和H2，故水气比不宜过低，生产时严格控制水气比1.0-1.1过低易造成结碳现象，出口CH4百分率偏高，过度则造成浪费。C、蒸汽质量不好，易使触媒表面结盐，影响触媒活性，增大系统阻力，降低设备生产能力，故必须做到定时分析，要求定期排放污水，确保蒸汽质量合格。D、原料气中硫含量高，会使触媒中毒失去活性，控制好精脱硫各槽温度，使原料气中硫含量≤0.1ppm。
转化炉各点温差大时，为什么出口CH4往往不合格（）A、各点温差大，说明有相当一部分CH4在反应剧烈区之下的触媒层转化，若某两点的温差越大，则这两点热电偶之间的触媒层中转化的CH4愈多B、各点温差大，也说明上层触媒活性差，反应速度慢，就是说，可能是触媒中毒，炉温太低或触媒的活性表面被烧结。C、各点温差大，说明上层触媒活性差，在上层反应的CH4少，有相当一部分甲烷在中下部反应，这样CH4就反应不完全，出口CH4就往往超指标。D、若发现此现象，应适当提高炉温，降低压力，增大空速，加大蒸汽，一段时间后，温差会缩小，出口CH4会降低。如果无效，考虑更换触媒
热点温度为什么会下移？（）A、催化剂长期处于高温或温度波动大，活性下降B、毒物影响致使上层催化剂活性降低，热点下移C、内件上部损坏而漏气，热点下移D、催化剂还原不好，上层催化剂活性较差，热点下移
进转化工段焦炉气总硫为什么必须控制在0.1PPm以下（）A、因为合成触媒和甲烷化触媒昂贵，对入口硫含量要求苛刻B、若ZnO槽出口总硫过高，不会使合成触媒和CH4转化触媒中毒失去活性C、若ZnO槽出口总硫过高，必然会使合成触媒和CH4转化触媒中毒失去活性D、总硫高不会造成重大经济损失
因为合成触媒和甲烷化触媒昂贵，对入口硫含量要求苛刻，若ZnO槽出口总硫过高，必然会使合成触媒和CH4转化触媒中毒失去活性，从而造成重大经济损失，所以必须控制ZnO槽出口总硫在0.2PPm以下
填空题上层建筑有两大组成部分：政治上层建筑和思想上层建筑。其中，（）是上层建筑的核心。