钢轨中的硅会影响焊缝质量，主要是因为在焊接时会形成低熔点的（）。A、氧化硅B、硅酸盐C、脱碳层D、硫化硅

钢轨中的硅会影响焊缝质量，主要是因为在焊接时会形成低熔点的（）。

  • A、氧化硅
  • B、硅酸盐
  • C、脱碳层
  • D、硫化硅

相关考题：

下列关于耐高温新型陶瓷——氮化硅(Si3N4)的叙述，正确的是A．氮化硅中Si、N两种元素的质量比为4：3B．氮化硅中氮元素的质量分数为60％C．14g氮化硅中含硅8.4gD．氮化硅的相对分子质量为l44
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硅酸盐水泥生产过程中,当生料中二氧化硅不足时,需掺加硅质校正原料。对硅质校正原料的质量要求是()。 A.硅率n＞4.0B.Si02：70%～90%C.R20＜4.0%D.Fe203＞30%
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钢轨铝热焊中,降低低熔点物质的含量,提高()的含量可改善型砂的耐热性能。 A、二氧化硅B、水C、碳粉D、水玻璃
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钢轨中的硅降低钢轨的焊接性能,主要是焊接时形成低熔点的(),影响焊缝质量。 A、氧化硅B、硅酸盐C、脱碳层D、硫化硅
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钢轨接触焊接过程中,若产生的高熔点或低熔点氧化物不能从接口中顺利排出,就在焊缝中形成()缺陷。 A、夹杂B、疏松C、夹渣D、灰斑
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水与硅化镁、硅化铁等接触，会释放出自燃物四氢化硅，四氢化硅易与空气中的氧反应，发生闪燃。此题为判断题(对，错)。
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硅的氧化物SiO2的熔点高，颗粒小，能弥散在钢中，上浮困难，但与Mn一起使用，则能形成低熔点的易于排出的硅酸盐。此题为判断题(对，错)。
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水与硅化镁、硅化铁等接触，会释放出自燃物四氢化硅，四氢化硅易与空气 中的氧反应，发生火灾。()
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硅灰是在冶炼硅铁合金或工业硅时，通过烟道排出的硅蒸气氧化后，经收尘器收集得到的以（）为主要成份的产品。 A.无定形二氧化硅B.空心微珠C.二氧化硅多晶D.二氧化硅单晶
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多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
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通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
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硅铁生产中原料中的硫能和硅形成硫化硅，硫化硅在冶炼温度下挥发性很大，因此，对原料中的硫的要求是（）A、≥1.0%B、≥0.5%C、≤0.8%D、不要求
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玻璃的主要成分是（）。A、单晶硅B、碳化硅C、二氧化硅
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转炉炼钢用石灰要求其具有（）特点。A、有效氧化钙低，二氧化硅和硫含量高及生、过烧率低B、有效氧化钙高，二氧化硅和硫含量低及生、过烧率低C、有效氧化钙低，二氧化硅和硫含量低及生、过烧率低D、有效氧化钙高，二氧化硅和硫含量高及生、过烧率低
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炼钢用石灰主要要求（）。A、有效氧化钙高，二氧化硅和硫含量高及生过烧率低B、有效氧化钙低，二氧化硅和硫的含量低及低的生过烧率C、有效氧化钙高，二氧化硅和硫的含量低及低的生过烧率
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对刚刚焊过的钢轨接头浇水冷却，这样使焊缝中的（）组织产生，影响焊接接头质量。（）组织增加，影响焊接接头质量。
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钢轨焊接过程中，若产生的高熔点或低熔点氧化物不能从接口顺利排出，会在焊缝中形成（）缺陷。A、夹杂B、疏松C、夹渣D、灰斑
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奥氏体钢和铁素体钢焊接时，奥氏体钢中的钛会促使铁素体钢中的碳向焊缝一侧迁移，从而在铁素体钢一侧形成脱碳层。
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透平结垢的主要原因是蒸汽中含有（）。A、硅B、二氧化硅C、氧化钙D、一氧化硅
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在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离
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以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。A、单晶硅B、多晶硅C、硅化金属D、二氧化硅E、氮化硅
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单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A、氮化硅B、二氧化硅C、光刻胶D、多晶硅
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镍与硫、磷和NiO等都能形成（），且焊缝为粗大的树枝晶时，在焊接应力作用下易形成热裂纹。A、气孔和夹渣B、柱状晶C、低熔点共晶
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硅灰是在冶炼硅铁合金或工业硅时，通过烟道排出的硅蒸气氧化后，经收尘器收集得到的以（）为主要成份的产品。A、无定形二氧化硅B、空心微珠C、二氧化硅多晶D、二氧化硅单晶
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单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A②④B①③C①④D②③
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单选题通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A空穴移向衬底深处B空穴移向二氧化硅层C电子移向二氧化硅层D电子移向衬底层深处
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判断题水与硅化镁、硅化铁等接触，会释放出自燃物四氢化硅，四氢化硅易与空气中的氧反应，发生火灾。A对B错
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