正确叙述半导体的是()。 A、半导体即超导体B、半导体即一半导电一半不导电C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质D、半导体是经过处理的绝缘体
硅、锗、硒等物体属于()。A.导体B.半导体C.超导体D.绝缘体
减速度传感器有（）、水银式、差动变压器式和半导体式。A、磁感应式B、霍尔效应式C、光电式D、磁脉冲式
与磁绕组式速度传感器输出交流信号相比，霍尔效应式速度传感器输出的是更精确的（）信号。A、电流B、电压C、数字D、模拟
压阻式压力传感器是利用（）的原理（半导体材料受压时电阻车发生变化）直接将压力转换为电信号A、压阻效应B、光电效应C、电磁感应D、霍尔效应
发动机哪一种位置传感器在传感器内部需要把其电压信号放大、翻转和整形为整齐的方波信号？（）A、磁脉冲发生器B、金属探测传感器C、霍尔效应传感器D、光电传感器
常用（）作为霍尔元件。A、金属B、N型半导体C、P型半导体D、绝缘体
霍尔效应式速度和位置传感器可以通过旋转发动机测量其（）的方法来判断其工作的好坏。A、内部电阻B、输出信号电压C、输出信号电流D、输出交流信号
霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E，其大小与（）所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。A、半导体材料B、霍尔片的几何尺寸C、所加电压的频率D、磁场方向
霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
硅、锗、硒等物体属于（）。A、导体B、半导体C、超导体D、绝缘体
霍尔信号发生器中的霍尔元件属于（）元件。A、绝缘体B、半导体C、导体
物质按其导电性能有（）。A、导体B、绝缘体C、半导体D、超导体
半导体应变片传感器的工作原理是基于（）效应，它的灵敏系数比金属应变片的灵敏系数（）；压阻效应是指（）半导体材料在沿着某一轴向受到（）作用时，其（）发生变化的现象。涡电流式传感器的工作原理是利用金属导体在交变磁场中的（）效应。
半导体气体传感器，是利用半导体气敏元件同气体接触，造成（）发生变化，借此检测特定气体的成分及其浓度。A、半导体电阻B、半导体上电流C、半导体上电压D、半导体性质
霍尔传感器通常选择（）材料制作。A、N型半导体B、P型半导体C、金属导体D、导体和半导体
压阻式传感器是利用半导体材料压阻效应制作的电阻式应变传感器，其性能优于金属应变效应制作的电阻式应变传感器，主要用于压力测量。
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。
对半导体的叙述正确的是（）。A、半导体即超导体B、半导体即一半导电一半不导电C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质D、半导体是经过处理的绝缘体
水温传感器为半导体热敏电阻时，其电阻值会随（）的变化而变化。
本征半导体在温度T=OK和无光照时，导电能力与（）很接近.A、金属B、小电阻C、绝缘体D、掺杂半导体
单选题发动机哪一种位置传感器在传感器内部需要把其电压信号放大、翻转和整形为整齐的方波信号？（）A磁脉冲发生器B金属探测传感器C霍尔效应传感器D光电传感器
填空题半导体压敏电阻式压力传感器是利用半导体的（）效应制成的。
单选题（）传感器是通过改变电路中电阻值的大小，实现将位移转换为电阻值的变化。A金属电阻应变片式B变极距式C线绕变阻式D半导体应变片
单选题硅、锗、硒等物体属于（）。A导体B半导体C超导体D绝缘体