对半导体的叙述正确的是()。A、半导体即超导体B、半导体即一半导电一半不导电C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质D、半导体是经过处理的绝缘体

对半导体的叙述正确的是()。

  • A、半导体即超导体
  • B、半导体即一半导电一半不导电
  • C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质
  • D、半导体是经过处理的绝缘体

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对半导体探头特点的错误描述是:()。A.灵敏度高B.灵敏体积小C.适于测量梯度变化大的区域D.探头压低E.物理密度较空气低

正确叙述半导体的是()。 A、半导体即超导体B、半导体即一半导电一半不导电C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质D、半导体是经过处理的绝缘体

半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。 A.性能参数B.转移特性C.内部性能D.特性曲线

半导体器件的参数有多种测试方法,但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法,为此就应选用半导体管特性图示仪。() 此题为判断题(对,错)。

保护导体、保护联结导体的正确定义是()。A.保护导体是为安全目的(如电击防护)而设置的导体;B.保护导体是为防护性或功能性接地而设置的导体;C.保护联结导体是为保护性等电位联结而设置的导体;D.保护联结导体是保护导体和等电位联结导体的统称。

半导体管图示仪对半导体器件进行测量时的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体的()A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线

下面关于电流形成磁场的叙述中,正确的是()A、电流通过长圆柱导体形成的磁场是以导体为轴线的同心圆B、电流通过线圈产生的磁场大小,各个位置是相同的C、通电导体内的磁场与距导体中心的距离成反比D、磁场只存在于电流流过的导体内部E、A和C是对的

对半导体剂量计的描述,不正确的是()A、N型硅晶体适合辐射剂量测量B、适于测量半影区剂量分布C、直接测量电子束深度剂量曲线D、比标准电离室更灵敏,体积更小E、剂量响应随温度改变会发生变化

对半导体探头特点的错误描述是( )A、灵敏度高B、灵敏体积小C、适于测量梯度变化大的区域D、探头压低E、物理密度较空气低

半导体器件的参数有多种测试方法,但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法,为此就应选用半导体管特性图示仪。

下面关于涡流的叙述中,指出正确的句子().A、当导体中的磁力线变化时,在磁力线周围产生感生电流B、当导体中的磁力线被缺陷隔断时,在那里产生涡流C、导体中的涡流在导体中心部分较大,随着靠近表面,涡流大小明显下降D、导体中的涡流靠近导体表面较大,中心部分的电流密度比表面层要低得多E、a和d是正确的

下列关于电流形成磁场的叙述,正确的说法是()。A、 电流形成的磁场与电流方向平行B、 电流从一根导体中流过时,用右手定则确定磁场方向C、 通电导体周围的磁场强度与电流大小无关D、 通电导体周围的磁场强度与距导体的距离无关

下列关于地线的叙述正确的是()。A、挂接地线时,先接接地端,后接导体端B、挂接地线时,先接导体端,后接接地端C、拆除接地线要先拆导体端,后拆接地端D、拆除接地线要先拆接地端,后拆导体端

为了制造性能良好的太阳电池,必须对半导体材料的理化特性加以选择,请问有哪几种物理特性需要着重考虑?

当关掉电源后,对半导体存储器而言,下列叙述正确的是()。A、RAM的数据不会丢失B、ROM的数据不会丢失C、CPU中数据不会丢失D、ALU中数据不会丢失

对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

保护导体、保护联结导体的正确定义是()。A、保护导体是为安全目的(如电击防护)而设置的导体B、保护导体是为防护性或功能性接地而设置的导体C、保护联结导体是为保护性等电位联结而设置的导体D、保护联结导体是保护导体和等电位联结导体的统称

光照对半导体的导电性能的影响()。A、很小;B、很大;C、不大;D、无。

半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线

温度对半导体器件的工作性能没有影响。

单选题对半导体探头特点的错误描述是( )A灵敏度高B灵敏体积小C适于测量梯度变化大的区域D探头压低E物理密度较空气低

单选题下面关于电流形成磁场的叙述中,正确的是()A电流通过长圆柱导体形成的磁场是以导体为轴线的同心圆B电流通过线圈产生的磁场大小,各个位置是相同的C通电导体内的磁场与距导体中心的距离成反比D磁场只存在于电流流过的导体内部EA和C是对的

填空题半导体的需求主要依赖于()和()的增长,而间接需求即生产过程中对半导体的需求更是需求的主要来源。

单选题下面关于涡流的叙述中,指出正确的句子().A当导体中的磁力线变化时,在磁力线周围产生感生电流B当导体中的磁力线被缺陷隔断时,在那里产生涡流C导体中的涡流在导体中心部分较大,随着靠近表面,涡流大小明显下降D导体中的涡流靠近导体表面较大,中心部分的电流密度比表面层要低得多Ea和d是正确的

问答题简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响?

单选题通过对半导体激光器采用()来获得调制光信号A外调制B直接调制C相位调制D电光调制

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