提高线路绝缘水平的具体办法是()。 A.增加泄漏距离B.增加悬垂式绝缘子的片数C.减小泄漏距离D.对针式绝缘子，应提高一级电压等级E.泄漏距离不变F.采用防污绝缘子G.将一般绝缘子表面涂上一层涂料或半导体釉，以达到抗污闪的能力
下列措施不能起到防止污闪作用的是()。 A. 减小爬电比距B. 定期或不定期清扫C. 采用半导体釉绝缘子D. 在绝缘子表面涂上憎水性材料
()是功率半导体器件的特点。A、大电流B、小电流C、大功率D、小功率
下列措施不能起到防止污闪作用的是()。A、减小泄漏距离B、定期或不定期清扫C、采用半导体釉绝缘子D、在绝缘子表面涂上憎水性材料
半导体管特性图示仪除测量半导体器件外,还可以对电容器进行()的测量。 A.绝缘性能B.介质参数C.耐压或漏电流D.大电流
下列有利于增大电瓷绝缘子的防污性能的措施有（ ）。A.采用半导体釉； B.采用大伞裙； C.钟罩式结构；D.小倾角。
现在常用的绝缘子有（）。A陶瓷绝缘子B玻璃钢绝缘子C合成绝缘子D半导体绝缘子
下列有利于增大电瓷绝缘子的防污性能的措施有（）。A、采用半导体釉B、采用大伞裙C、钟罩式结构D、小倾角
防止瓷质绝缘污闪有的措施有（）。A、增加基本绝缘；B、加强清扫；C、采用防尘涂料的办法；D、采用半导体釉绝缘子。
半导体二极管加正向电压时，有（）特性。A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大
在半导体两端加上外电压时，半导体中出现的电流是：（）A、空穴电流B、自由电子电流C、离子电流D、A或B
半导体二极管加正向电压时，（）A、电流大，电阻小B、电流大，电阻大C、电流小，电阻小D、电流小，电阻大
半导体管特性图示仪除测量半导体器件外，还可以对电容器进行（）的测量。A、绝缘性能B、介质参数C、耐压或漏电流D、大电流
半导体气体传感器，是利用半导体气敏元件同气体接触，造成（）发生变化，借此检测特定气体的成分及其浓度。A、半导体电阻B、半导体上电流C、半导体上电压D、半导体性质
提高沿面闪络电压的方法（）。A、增大沿面距离B、采用半导体釉和硅橡胶绝缘子防污闪C、改进电极形状D、削弱或抑制游离过程
本征半导体和杂质半导体中都存在（）现象，产生（），在外电场作用下可定向运动而形成微小的电流（在常温下）。
半导体二极管加正向电压时，有（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大
由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
下列哪些属于防污措施（）A、清扫B、水冲洗C、涂憎水性涂料D、增加绝缘子的爬距E、采用半导体釉绝缘子
填空题P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻，但是通常使用N型半导体材料，这是由于电子的（）比空穴大。
单选题下列选项中，那种类型的绝缘子具有损坏后“自爆”的特性（）A陶瓷绝缘子B玻璃绝缘子C硅橡胶绝缘子D半导体釉绝缘子
单选题半导体二极管加正向电压时，（）A电流大，电阻小B电流大，电阻大C电流小，电阻小D电流小，电阻大
单选题在半导体两端加上外电压时，半导体中出现的电流是：（）A空穴电流B自由电子电流C离子电流DA或B
多选题可以采用下列措施防止绝缘子污闪（）。A调整爬距B定期清扫C半导体釉绝缘子D新型合成绝缘子E采用憎水性涂料
单选题下列说法正确的是（）。AN型半导体带负电BP型半导体带正电CPN结型半导体为电中性体DPN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生