在半导体两端加上外电压时,半导体中出现的电流是:()A、空穴电流B、自由电子电流C、离子电流D、A或B

在半导体两端加上外电压时,半导体中出现的电流是:()

  • A、空穴电流
  • B、自由电子电流
  • C、离子电流
  • D、A或B

相关考题:

半导体三极管的特点是( )。 A.输入电流控制输出电流B输入电压控制输出电压C输入电流控制输出电压D输入电压控制输出电流

在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是(),N 型半导体中的电流主要是()。 A.电子电流,空穴电流B. 空穴电流,电子电流C. 电子电流,电子电流D. 空穴电流,空穴电流

发光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片,在P型半导体和n型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫 发光二极管,通称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。对文段理解不正确的是( )。A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成C.PN结位于P型半导体和n型半导体的过渡层上D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的

在半导体()结上加反向电压,当电压从零加到1伏时,反向电流从零增加到2微安。当反向电压继续增加时,反向电流不变,这个电流称为()饱和电流。

58)下图为某一半导体三极管T在电路中工作时各级电压,可知该半导体三极管T工作在饱和状态。( )

半导体三极管是一种()。A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件D、电流控制电压的器件

半导体二极管加反向电压时电流大电阻小。

任何导体都有一定的电阻,在导体两端加上电压时,导体中就有电流。

在外电场的作用下半导体中同时出现电子电流和空穴电流。()

晶体管是电流控制型半导体器件,而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。

三极管是一种()的半导体器件。A、电压控制B、电流控制C、既是电压又是电流控制D、功率控制

在半导体PN结两端加()就可使其导通。A、正向电子流B、正向电压C、反向电压D、反向电子流

霍尔式传感器的基本原理是:当电流流过放在磁场中的半导体基片,且电流方向与磁场方向垂直上,电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移,在()电流与磁场的半导体基片的横向侧面上,将产生一个()。A、平行;电流B、垂直;电压C、平行;电压D、垂直;电流

N型半导体导电是从()导电为主。A、电子B、空穴C、电压D、电流

半导体三极管是一种()。A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件

给半导体PN结加正向电压时,电源的正极应接半导体的()区,电源的负极通过电阻接半导体的()区。

电力半导体器件额定电流的选择依据是必须大于器件在电路中实际承受的平均电压,并有2—3倍的裕量。

避雷器的两端在加上正常的接触网电压后,呈()状态。A、短路B、击穿C、绝缘D、半导体

半导体气体传感器,是利用半导体气敏元件同气体接触,造成()发生变化,借此检测特定气体的成分及其浓度。A、半导体电阻B、半导体上电流C、半导体上电压D、半导体性质

在外加电压的作用下,P型半导体中的电流主要是()A、电子电流B、空穴电流C、电子电流和空穴电流D、离子

霍尔效应的原理是:当电流I通过在磁场中的半导体基片(即霍尔元件),且电流方向与磁场方向垂直时,在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面,即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的()。A、电流B、电压C、电感D、电场

霍尔式传感器的基本原理是:当电流流过放在磁场中的半导体晶片,且电流、磁场、晶片相互垂直时,在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个()。A、线性变化的电流B、线性变化的电压C、矩形波电压D、尖峰波电流

实际半导体电压和电流为线性关系。

半导体中的电流是电子电流和空穴电流之和。

单选题避雷器的两端在加上正常的接触网电压后,呈()状态。A短路B击穿C绝缘D半导体

单选题在半导体两端加上外电压时,半导体中出现的电流是:()A空穴电流B自由电子电流C离子电流DA或B

单选题下列说法正确的是()。AN型半导体带负电BP型半导体带正电CPN结型半导体为电中性体DPN结内存在着内电场,短接两端会有电流产生