为了使晶体管正常工作在放大状态,发射结必须加()电压,集电结必须加()电压。
硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应使晶体管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏
当晶体管的发射结正偏，集电结正偏时，晶体管处于饱和状态。
当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。
为了使晶体管在放大器中正常工作，需要发射结外加（）电压，集电结外加（）电压。
对于固态排渣煤粉炉，为了防止炉膛出口的受热面结渣，要求炉膛出口烟温应（）℃，对于液态排渣炉，为了保持灰渣溶化成液态从炉底渣口排出，要求炉膛下部烟温应高于（）.
对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射强正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结零偏D、发射结反偏，集电结正偏
为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）A、发射结正偏，集电结正编B、发射强正编，集电结反编C、发射结正编，集电结零编
晶体管工作在饱和区的条件是（）。A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结反向偏置，集电结正向偏置C、发射结正向偏置，集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结反向偏置
晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。
为了使晶体管工作于饱合区，必须保证（）。A、发射结正偏集电结正偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结零偏
晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结反偏C、发射结、集电结均上偏D、发射结正、集电结反偏
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结、集电结均反偏D、发射结、集电结均正偏
晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
对于固态排渣煤粉炉，为了防止炉膛出口的受热面结渣，要求炉膛出口烟温应θl″
二次雷达采用单脉冲体制的作用是（）。A、提高探测距离B、提高测角精度C、提高测距精度D、提高发射功率
对于二次雷达，关于二次环绕的产生原因，说法正确的是（）。A、由于二次雷达发射功率太小引起B、由于询问波束旁瓣穿透控制波束引起C、由于P2的发射功率减少引起D、以上选项皆不正确
二次雷达在相同的功率下比一次雷达的作用距离远的原因是二次雷达（）。A、收发机使用的工作频率不同B、接收的信号不是目标的反射回波信号C、发射机功率比一次雷达大D、发射编码脉冲，发射能量大
对于二次雷达，采用RSLS技术能够防止异步干扰信号进入接收机。
对于二次雷达，特殊位置识别脉冲只能由飞行员人工选择发射。当需要时，该脉冲只能在A/C模式应答中发射。
对于二次雷达，地面询问机一个时刻能发射多个模式，称为询问模式交替。
二次雷达对目标进行测角，实质上就是提取目标相对于（）的角度偏差。A、雷达天线波束指向B、雷达天线C、雷达发射机D、雷达接收机
对于二次雷达，发射机的峰值功率越高，说明其平均功率也越高。
填空题在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
单选题若使晶体管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）。A发射结正偏，集电结正偏B发射结反偏，集电结反偏C发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏