下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（）A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（）
- A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大
- B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
- C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱
- D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
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下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降D、用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的A、磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关B、缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响F、c，d和e都对
下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；E、除A以外都对
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的。A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响B、 交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响D、 以上都对
下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
单选题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的A磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关B缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小C在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响Fc，d和e都对
单选题下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降D用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
单选题下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（）A内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱D用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
单选题下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）A缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小B在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响C交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；E除A以外都对