抑制性突触后电位()A、是“全或无”式的B、有总和现象C、幅度较兴奋性突触后电位大D、是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果E、是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

抑制性突触后电位()

  • A、是“全或无”式的
  • B、有总和现象
  • C、幅度较兴奋性突触后电位大
  • D、是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果
  • E、是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

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兴奋性突触传递过程为() A、突触前膜释放兴奋性递质B、递质与突触后膜受体结合C、突触后膜对Cl-、K+(尤其对Cl-)通透性增加D、突触后膜产生EPSPE、EPSP总和达到阈电位,突触后神经元产生动作电位

兴奋性与抑制性突触后电位的相同点是() A、突触后膜去极化B、都可向远端传导C、都与突触后膜对Na+通透性增加有关D、出现“全或无”式电位变化E、递质使突触后膜对某些离子通透性改变的结果

兴奋性突触后电位的形成是因为( )。A.突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B.突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化C.突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化D.突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E.突触后膜对K+通透性升高,局部去极化

抑制性突触后电位是A、去极化局部电位B、超极化局部电位C、具有全或无特征D、突触前膜递质释放减少所致E、突触后膜对Na+通透性增加所致

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位A.K+、Cl-,尤其是K+B.Na+、Cl-,尤其是Na+C.K+、Cl-。尤其是Cl-D.ca2+、cl-尤其是Ca2+E.Na+、Cl-,尤其是Cl-

抑制性突触后电位A. 具有“全或无”性质B. 是超极化电位C. 是兴奋性递质释放减少所致D. 有总和现象E. 突触后膜主要对C1-通透性增加所致

抑制性突触后电位( )A.是“全或无”式的B.有总和现象C.幅度较兴奋性突触后电位大D.是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果E.是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

下列对兴奋性突触后电位的叙述,正确的是A:突触前神经元释放抑制性递质B:突触后膜主要对Ca2+通透性增加C:突触后膜产生局部去极化D:主要使突触后膜Cl-内流增加E:兴奋由前膜向后膜或由后膜向前膜,呈双向传递

兴奋性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对()A、Cl-的通透性B、K+的通透性C、Na+的通透性D、Mg2+的通透性

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对()A、Cl-的通透性B、K+的通透性C、Na+的通透性D、Mg2+的通透性

关于兴奋性突触后电位()A、是突触前神经冲动引起的全或无反应B、总是会引起动作电位的发生C、重复刺激下可发生时间总和D、突触后膜对Na+通透性较高E、突触后膜对Ca2+通透性较高

抑制性突触后电位()A、是“全或无”式的B、有总和现象C、幅度较兴奋性突触后电位大D、是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果E、是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

抑制性突触后电位()A、是"全或无"式的B、可以发生总和C、是突触后膜发生的局部超极化电位D、是突触后膜对Cl通透性增加的结果E、其幅度较兴奋性突触后电位大

抑制性突触后电位()A、是去极化局部电位B、是超极化局部电位C、具有全或无特征D、是突触前膜递质释放减少所致E、是突触后膜对Na通透性增加所致

兴奋性突触后电位发生的机制是()A、突触后膜主要对K+通透性增加B、突触后膜主要对Ca2+通透性增加C、突触后膜主要对Cl-通透性增加D、突触后膜主要对Mg2+通透性增加E、突触后膜主要对Na+通透性增加

多选题抑制性突触后电位()A是“全或无”式的B有总和现象C幅度较兴奋性突触后电位大D是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果E是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

单选题下列对兴奋性突触后电位的叙述,正确的是(  )。A突触前神经元释放抑制性递质B突触后膜主要对Ca2+通透性增加C突触后膜产生局部去极化D主要使突触后膜Cl-内流增加E兴奋由前膜向后膜或由后膜向前膜,呈双向传递

单选题突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()。AK+、Cl-,尤其是K+BNa+、Cl-,尤其是Na+CK+、Cl-,尤其是Cl-DCa2+、Cl-,尤其是Ca2+ENa+、Cl-,尤其是Cl-

单选题抑制性突触后电位()A是去极化局部电位B是超极化局部电位C具有全或无特征D是突触前膜递质释放减少所致E是突触后膜对Na通透性增加所致

多选题抑制性突触后电位()A是全或无式的B可以发生总和C是突触后膜发生的局部超极化电位D是突触后膜对Cl通透性增加的结果E其幅度较兴奋性突触后电位大

单选题下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是(  )。ACa2+由膜外进入突触前膜内B突触前末梢去极化C突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D突触后膜对K+、Cl-或Cl-的通透性升高E突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

单选题兴奋性突触后电位的形成是因为(  )。A突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化C突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化D突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E突触后膜对K+通透性升高,局部去极化