抑制性突触后电位（）A、是"全或无"式的B、可以发生总和C、是突触后膜发生的局部超极化电位D、是突触后膜对Cl通透性增加的结果E、其幅度较兴奋性突触后电位大
抑制性突触后电位（）
- A、是"全或无"式的
- B、可以发生总和
- C、是突触后膜发生的局部超极化电位
- D、是突触后膜对Cl通透性增加的结果
- E、其幅度较兴奋性突触后电位大
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抑制性突触后电位是A.太极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特征SXB 抑制性突触后电位是A.太极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特征D.突触前膜递质释放减少所致E.突触后膜对Na+通透性增加所致
兴奋性突触后电位的形成是因为( )。A．突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化B．突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化C．突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化D．突触后膜对K+通透性升高，局部超极化E．突触后膜对K+通透性升高，局部去极化
抑制性突触后电位是 A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性SX 抑制性突触后电位是A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性D.突触后膜NA+通透性增加所致E.突触前膜递质释放减少所致
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
单选题兴奋性突触后电位的形成是因为（）。A突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化B突触后膜对Cl一通透性升高，局部去极化C突触后膜对Cl一通透性升高，局部超极化D突触后膜对K+通透性升高，局部超极化E突触后膜对K+通透性升高，局部去极化
单选题兴奋性突触后电位的形成是因为（ ）。A突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化B突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化C突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化D突触后膜对K+通透性升高，局部超极化E突触后膜对K+通透性升高，局部去极化