在使用绝缘栅型场应管时,栅源间应有直流通路。

在使用绝缘栅型场应管时,栅源间应有直流通路。


相关考题:

增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。() 此题为判断题(对,错)。

在变频技术中,绝缘栅双极型晶体管的英文缩写是:() A.GTOB.MOSFETC.PICD.IGBT

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管

绝缘栅双极型晶体管的简称是()。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT

在MOS管保存和焊接时的注意事项是(); A.在保存及焊接时,要在栅源之间保持直流通路,最好使三个电极短接。B.在保存及焊接时,要在栅源之间保持直流通路,最好使栅源两极短接。C.在保存及焊接时,要在栅漏之间保持直流通路,最好使栅漏两极短接。

N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()A、正极性B、负极性C、零D、不能确定

结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。

在MOS管保存和焊接时的注意事项是();A、在保存及焊接时,要在栅源之间保持直流通路,最好使三个电极短接。B、在保存及焊接时,要在栅源之间保持直流通路,最好使栅源两极短接。C、在保存及焊接时,要在栅漏之间保持直流通路,最好使栅漏两极短接。

绝缘栅场效应管的栅极与源极和()之间是完全绝缘的。A、漏极B、正极C、负极D、源极

TTL“与非”门电路是以()为基本元件构成的。A、双极型三极管B、双极型绝缘栅C、单极型三极管D、单极型绝缘栅

结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。

结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。

场效应管按结构分为结型和()。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型

绝缘栅双极型晶体管简称()。A、MOSFETB、IGBTC、GTRD、GTO

使用场效应管时应特别注意对()极的保护,尤其是绝缘栅场效应管在不用时应将三个电极()。

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管

根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,将场效应管分为()和耗尽型。

绝缘栅型场效应管又分为()和(),两者区别()。

结型场效应管的栅、源极之间应加()电压。

绝缘栅型场效应管通常称为()、存放时应将三个电极()。

绝缘栅双极晶体管属于()型器件。A、电阻B、电压C、电流D、电容

观测场四周围栏的栅条宽度应小于()、栅条间的距离应大于()A、8、8B、10、10C、8、10D、10、8

绝缘栅型场效应管的输入电阻特别高,当栅极悬空时,在栅极感应出的电荷很难泄放,由于极间电容较小,少量电荷就会使栅级产生较高的电压,因此栅极必须悬空。

单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()AP沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

填空题绝缘栅型场效应管通常称为()、存放时应将三个电极()。

单选题在MOS管保存和焊接时的注意事项是();A在保存及焊接时,要在栅源之间保持直流通路,最好使三个电极短接。B在保存及焊接时,要在栅源之间保持直流通路,最好使栅源两极短接。C在保存及焊接时,要在栅漏之间保持直流通路,最好使栅漏两极短接。

单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()A正极性B负极性C零D不能确定