绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。() 此题为判断题(对，错)。
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。() 此题为判断题(对，错)。
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
绝缘栅场效应管又称为MOS管() 此题为判断题(对，错)。
下列关于场效应管的说法中，错误的是： A、场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）B、场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
绝缘栅双极晶体管具有（）的优点．A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管
逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用电力场效应管和绝缘栅双极晶体管。
绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。A、漏极B、正极C、负极D、源极
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
绝缘栅型场效应管通常称为（）、存放时应将三个电极（）。
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
常用的电力电子器件有：（）。A、双极晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力MOS场效应管D、门极关断晶闸管E、场控晶闸管
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
（）的本质是一个场效应管。A、肖特基二极管B、电力晶体管C、可关断晶闸D、绝缘栅双极晶体管
绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A、较大B、较小C、为零D、无法判断
在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）A、体内场效应而工作的B、表面场效应而工作的C、载流子导电而工作的
填空题场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
填空题绝缘栅型场效应管通常称为（）、存放时应将三个电极（）。