转化器温度需要控制在150℃以下,防止触媒高温降低活性。() 此题为判断题(对，错)。
23#触媒硫化初步为变换炉升温的介质是（）A、蒸汽B、粗煤气C、高温氮气D、高温变换气
23#触媒为何要再生（）A、提高床层温度B、提高触媒活性C、降低床层温度
23#触媒硫化时，触媒温升至（）通入CS2补入量控制在（）。
变换触媒层温度下降的原因有（）A、蒸汽加入量小B、冷煤气量大C、触媒活性低
硫化主期分两个阶段：触媒床层升到350℃—400℃，触媒床层各点温度为400℃—450℃。
升温还原中出水量过猛有何危害，不正确的是（）A、升温还原主期温度难以控制，造成触媒烧坏B、造成反复氧化一还原，铜晶格增大，活性降低，使用寿命减少C、气体温度高，造成触媒粉化D、触媒强度增强
合成系统置换合格前，对触媒温度要求是（）。A、触媒降温B、触媒保温C、和触媒温度无关D、触媒升温
触媒升温还原时为什么一定要控制升温速度，快一点不更好吗（）A、新触媒其内部都含有一定的水份，这部分水份若不除去，会影响触媒的强度，所以新触媒升温一般在120℃以下，都控制升温速率比较慢，且在120℃时还要恒温一段时间B、在触媒还原阶段，也要控制一定的升温速率，这是为了使触媒还原均匀彻底，若升温过快，触媒活性会受到影响C、触媒升温还原一定要快D、对于设备和管道若升温速率过快，会使其强度下降，寿命缩短。温升速度快一些，不会立即显示出什么坏处来，但从长远看，不利于设备及触媒的使用寿命
合成触媒升温还原不应参照催化剂制造厂提供的触媒升温方案进行。（）
23＃变换炉触媒升温时升温速率（）A、小于100℃/hB、小于80℃/hC、小于60℃/hD、小于50℃/h
23#触媒硫化时当触媒升温至180°C时，逐渐补入CS2，控制CS2补入量在20～40L/h。
23#开车前，首先将变换炉床层以80℃/h的速率升温到260℃-280℃，并且向变换炉导气时要缓慢，防止触媒破损。
单选题23#触媒为何要再生（）A提高床层温度B提高触媒活性C降低床层温度
单选题23＃变换炉触媒升温时升温速率（）A小于100℃/hB小于80℃/hC小于60℃/hD小于50℃/h
填空题23#触媒硫化时，触媒温升至（）通入CS2补入量控制在（）。
判断题23#触媒硫化时当触媒升温至180°C时，逐渐补入CS2，控制CS2补入量在20～40L/h。A对B错
单选题23#触媒硫化初步为变换炉升温的介质是（）A蒸汽B粗煤气C高温氮气D高温变换气
填空题23#触媒再生时，催化剂床层升温速率控制在（）。