单选题关于TD-LTE中天线端口说法正确的是（）A天线逻辑端口与物理端口一一对应B8path TM7配置下逻辑端口为1个C8path TM8配置下逻辑端口为4个D8path TM3配置下逻辑端口与TM8配置下的逻辑端口数相同
单选题
关于TD-LTE中天线端口说法正确的是（）
A
天线逻辑端口与物理端口一一对应
B
8path TM7配置下逻辑端口为1个
C
8path TM8配置下逻辑端口为4个
D
8path TM3配置下逻辑端口与TM8配置下的逻辑端口数相同
参考解析
解析：
暂无解析
相关考题：
LTE系统中关于MIMO,以下那种说法是对的() A.下行只能单天线发送B.下行可以支持的天线端口数目为1，2，4，8C.下行可以单天线发送，也可以多天线发送D.下行可以支持的天线端口数目为1，2，4
关于TD-LTE中天线端口说法正确的是( )A.天线逻辑端口与物理端口一一对应B.8pathTM7配置下逻辑端口为1个C.8pathTM8配置下逻辑端口为4个D.8pathTM3配置下逻辑端口与TM8配置下的逻辑端口数相同
关于TD-LTE的基站以下说法正确的是( )A.天线端口指的是RRU上的天线接口。B.中移动TD-LTE室外宏站使用8天线端口的RRU。C.BBU与RRU之间的组网方式有两种：星型组网与链型组网。D.BPL1单板如果放在3，4槽位可以替代FS单板。
关于RRU射频端口与天线的连接，下面说法错误的是：A、采用极化天线时，同一个天线端口的所有物理天线的极化方向最好相同B、采用极化天线时，不同天线端口的所有物理天线的极化方向最好相反C、多通道RRU的裂解场景下，同一个RRU里的不同小区允许使用同一个天线，但必须使用不同通道D、多通道RRU的裂解场景下，如果RRU的部分射频端口暂不使用，可以空置，但必须按照工程规范做上防水措施
关于TD－LTE中天线端口说法错误的有() A.8pathTM3配置下逻辑端口与TM8配置下的逻辑端口数相同B.8pathTM7配置下逻辑端口为1个C.8pathTM8配置下逻辑端口为4个D.天线逻辑端口与物理端口一一对应
有几种天线编号的说法,正确的是: A.PBCH的CRC掩码参数，物理天线数目。B.指天线实际的物理端口，对应RRU的RF通道。C.本质上是反映RS的不同pattern。D.指天线下面的接口。
LTE系统中关于MIMO，以下哪种说法是对的（）A、下行可以单天线发送，也可以多天线发送B、下行只能单天线发送C、R10中，下行可以支持的天线端口数目为1，2，4，6，8D、R9协议中，下行可以支持的天线端口数目为1，2，4
以下关于天线的参数的说法，正确的是（）。A、天线的前后比是指天线的主瓣和后瓣之间的比值，一般应大于25dBB、天线功率容量的选取依据是载频合路后输入天线端口的最大射频发射功率，选取时应在此基础上留适当裕量。一般不得低于200WC、天线的三阶互调应该低于－150dBC@2×43dBmD、天线的各个端口之间的隔离度应大于30dBE、电压驻波比应小于1.5
关于天线的指标描述，下面说法不正确的是（）。A、天线的前后比指标不是天线的主指标，在网规中可以不考虑B、多端口天线，如双极化天线、双频段双极化天线、双频双工双极化天线，收发公用时，端口之间的隔离度应大于40dBC、基站天线垂直面内采用赋形波束设计时，为了使业务区内的辐射电平更均匀，下副瓣第一零点需要填充，不能有明显的零深，对于大区制基站天线无这一要求D、在双极化天线中，通常使用+0°和-90°正交双线极化
以下关于双流Beamforming技术特点，说法不正确的是（）A、双流传输从R8版本开始引入B、结合天线波束赋形技术与MIMO空间复用技术C、TD-LTE的多天线增强型技术D、TD-LTE建网的主流技术
关于TD-LTE中天线端口说法正确的是（）A、天线逻辑端口与物理端口一一对应B、8path TM7配置下逻辑端口为1个C、8path TM8配置下逻辑端口为4个D、8path TM3配置下逻辑端口与TM8配置下的逻辑端口数相同
单选题关于TD-LTE中天线端口说法正确的是（）A天线逻辑端口与物理端口一一对应B8path TM7配置下逻辑端口为1个C8path TM8配置下逻辑端口为4个D8path TM3配置下逻辑端口与TM8配置下的逻辑端口数相同
多选题关于TD-LTE中天线端口说法错误的有（）A8pathTM3配置下逻辑端口与TM8配置下的逻辑端口数相同B8pathTM7配置下逻辑端口为1个C8pathTM8配置下逻辑端口为4个D天线逻辑端口与物理端口一一对应
填空题在TD-LTE中，CRS的映射与PCI息息相关，对于双天线端口要求邻区PCI（）不相等。