在正向AGC电路中，若受控级的晶体管是NPN型管，则AGC电压应是()。A.正直流电压B.负直流电压C.交流电压D.脉冲电压
在饱和区,发射结处于()偏置,集电结也处于()偏置。 A、正向，正向B、正向，反向C、反向，反向D、反向，正向
晶体管工作在放大区时,发射结处于()。 A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定
晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结正向偏置C.发射结正向偏置，集电结反向偏置D.发射结正向偏置，集电结正向偏置
晶体管工作在放大区时,集电结处于()。 A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定
晶体管处于饱和状态时的条件是发射结( )偏置,集电结( )偏置.A、正向，反向B、正向，正向C、反向，反向D、反向，正向
晶体管三极管放大条件是( )。 A.发射结要正向偏置B.发射结要正向偏置，集电结要反向偏置C.集电结要反向偏置D.发射结要反向偏置，集电结要正向偏置
晶体管处于放大状态的条件为()。 A.发射结正向偏置，集电结正向偏置B.发射结正向偏置，集电结反向偏置C.发射结反向偏置，集电结正向偏置D.发射结反向偏置，集电结反向偏置
晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。
在反向AGC电路中，若受控级的晶体管是NPN型管，AGC则电压应是（）。A、负直流电压B、正直流电压C、交流电压D、脉冲电压
在晶体管放大电路中，发射结加的是反向电压，集电极加的是正向电压。
在自动控制电路中，根据晶体管受控方式可分为（）和（）。
基差走弱具体可分为（）的情况。A、正向市场基差走弱B、反向市场基差走弱C、反向市场转向正向市场D、正向市场转向反向市场
晶体管放大器放大信号时，必须要有（）.A、保护电路B、自动增益控制电路C、温度补偿电路D、电源
当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。A、正向B、反向C、左向D、右向
晶体管做放大使用时，必须（）。A、发射极与某电极都加上正向电压B、发射极与导电极都加上反向电压C、发射结加正向电压，集电结加反向电压
普通晶体管用作放大时，输入端发射结保持为（）。A、反向偏置B、正向偏置C、正向、反向偏置均可
晶体管工作在饱和区的条件是（）。A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结反向偏置，集电结正向偏置C、发射结正向偏置，集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结反向偏置
在自动增益控制电路中，据晶体管受控方式可分为（）和（）
在正向AGC电路中，若受控级的晶体管是NPN型管，则AGC电压应是（）。A、正直流电压B、负直流电压C、交流电压D、脉冲电压
温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
晶体管在放大状态时，集电极为反向偏置，而发射结正向偏置。
晶体管三极管放大条件是（）。A、发射结要正向偏置B、发射结要正向偏置，集电结要反向偏置C、集电结要反向偏置D、发射结要反向偏置，集电结要正向偏置
在晶体管放大电路中，发射结加的反向电压，集电极加的是正向电压。
TA7680的中放和高放AGC的控制方式是（）。A、中放是正向AGC，高放是反向AGCB、中放是反向AGC，高放是正向AGCC、均为正向AGCD、均为反向AGC
填空题在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。
判断题双极型晶体管的工作区域可分为：饱和区、正向工作区、反向工作区和截止区。A对B错