单选题下列关于反磁场的叙述,正确的是()A施加的外磁场越大,反磁场就越大;B试件磁化时,如不产生磁极,就不会产生反磁场;C试件的长径比越大,则反磁场越小;D以上都是
单选题
下列关于反磁场的叙述,正确的是()
A
施加的外磁场越大,反磁场就越大;
B
试件磁化时,如不产生磁极,就不会产生反磁场;
C
试件的长径比越大,则反磁场越小;
D
以上都是
参考解析
解析:
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关于磁场方向,叙述正确的是 A、逆磁场方向排列的质子是高能不稳态质子B、顺磁场方向排列的质子是高能稳态质子C、顺磁场方向排列的质子是高能不稳态质子D、逆磁场方向排列的质子是低能稳态质子E、逆磁场方向排列的质子是低能不稳态质子
关于弛豫的叙述,正确的是A.纵向弛豫表示Z轴磁场的恢复B.Z轴磁场的下降称为纵向弛豫S 关于弛豫的叙述,正确的是A.纵向弛豫表示Z轴磁场的恢复B.Z轴磁场的下降称为纵向弛豫C.XY平面磁场的下降称为纵向弛豫D.XY平面磁场的增加称为纵向弛豫E.纵向弛豫就是T1值
下列关于反磁场的叙述中,正确的是()A、反磁场是由于工件磁化后形成磁极造成的B、L/D值越大,反磁场越强C、反磁场大小与工件形状无关D、将工件夹在电磁铁的两极间形成闭合磁路后,没有反磁场E、A和D是正确的
下列关于电流形成磁场的叙述,说法正确的是()。A、电流形成的磁场与电流方向平行B、电流从一根导体上通过时,用右手定则确定磁场方向C、通电导体周围的磁场强度与电流大小无关D、通电导体周围的磁场强度与电流方向无关
下列关于漏磁场的叙述,正确的是()。A、内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁场,随离开表面的距离增大而急剧下降D、有缺陷的试件,才会产生漏磁场
下列关于漏磁场的叙述中,正确的是()A、缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C、漏磁场的大小与缺陷的深度比有关D、工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大
下列关于漏磁场的叙述中,正确的是()A、缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C、漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关D、工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大
下列关于电流形成磁场的叙述,正确的说法是()。A、 电流形成的磁场与电流方向平行B、 电流从一根导体中流过时,用右手定则确定磁场方向C、 通电导体周围的磁场强度与电流大小无关D、 通电导体周围的磁场强度与距导体的距离无关
单选题关于磁场方向,叙述正确的是()。A逆磁场方向排列的质子是高能不稳态质子B顺磁场方向排列的质子是高能稳态质子C顺磁场方向排列的质子是高能不稳态质子D逆磁场方向排列的质子是低能稳态质子E逆磁场方向排列的质子是低能不稳态质子
单选题下列关于漏磁场的叙述,正确的是:()A内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁场,随离开表面的距离增大而急剧下降D有缺陷的试件,才会产生漏磁场
单选题下列关于漏磁场的叙述中,正确的是()A缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关D工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大
单选题下列关于漏磁场的叙述中,正确的是()A缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C漏磁场的大小与缺陷的深度比有关D工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大
单选题下列关于反磁场的叙述中,正确的是()A反磁场是由于工件磁化后形成磁极造成的BL/D值越大,反磁场越强C反磁场大小与工件形状无关D将工件夹在电磁铁的两极间形成闭合磁路后,没有反磁场EA和D是正确的
单选题指出下列有关B-H曲线的叙述哪种说法是正确的?()A在B-H曲线上,把H为零的B值称为矫顽力B在B-H曲线上,矫顽力表示反磁场的大小CB-H曲线是表示磁场强度与磁通密度关系的曲线D以上都是
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