CVT电容分压器电容量和介质损耗角tanδ的测量结果：电容量与出厂值比较其变化量超过-5%或10%时要引起注意，tanδ不应大于0.5%。此题为判断题(对，错)。
电容器的主要参数有电容量、介质损耗和()。 A、型号B、耐压C、材料D、序号
电容型设备介质损耗因数的测量方法有（）。A高压标准电容法B低压标准电容法C高压电感法D低压电感法
CVT电容分压器电容量和介质损耗角tanδ的测量结果：电容量与出厂值比较其变化量超过-5%或10%时要引起注意，tanδ不应大于0.5%。
电容器的试验项目，应包括下列那些内容（）A、测量绝缘电阻B、测量耦合电容器的介质损耗角正切值、电容值及局部放电试验C、并联电容器交流耐压试验D、冲击合闸试验
下列那组元件全部是目前的SSD元件（）。A、贴片电阻、贴片电容、色环电感B、整流桥、光藕、BGAC、晶振、钽电容、集成电路D、贴片三极管、膜电容、贴片电感
测量非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ和电容值时，同一绕组的套管（）。
电容型设备在线监测装置主要监测的特征量是（）。A、局部放电值B、介质损耗因数C、电流值D、电容量
实际的电容，由于介质漏电及其它原因产生的能量消耗叫电容器的损耗。
西林电桥是一种直流电桥，可以测量材料和设备的电容值和介质损耗角的正切值。
测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比，其差值应在（）范围内。
测量断路器电容器的介质损耗角正切值及电容值时，与产品技术条件规定的电容值的偏差应在额定电容值的-5%—＋10%范围内。
常见贴片电容的材质有：X7R、X5R、Y5V、NPO（COG）、Z5U。请问电容值和介质损耗最稳定的电容是哪一种？
耦合电容器的电容单元进行耐电压及局放试验之后，在0.9～1.1倍（）下进行电容复测及介质损耗正切值测量。A、最大电压B、最小电压C、额定电压D、电压有效值
相对介质损耗因数和电容量比值检测的取样单元有（）。A、电流取样单元B、电压取样单元C、电感取样单元D、电容取样单元
测量变压器绕组绝缘介质损耗因数时，应同时测量电容值，若此电容值发生明显变化，应予以注意。分析时应注意（）对介质损耗因数的影响。A、温度B、湿度C、环境D、风力
对于SF6断路器断口间并联电容器电容量和介质损耗因数检测说法错误的是（）A、容量初值差不超过±5%（警示值）B、介质损耗因数油浸纸≤0.006C、介质损耗因数膜纸复合≤0.0025D、对于瓷柱式断路器，与断口一起测量
衡量一个电容器的性能和指标有电容量、绝缘电阻、介质损耗和耐压等，其中最主要的是电容量和（）两个指标。
耦合电容器的主要参数是（）A、标称电容量Cb和绝缘电阻B、介质损耗因数tgδ和额定电压C、标称电容量Cb和介质损耗因数tgδD、标称电容量Cb和高频等效电阻r
电容型设备绝缘带电测试项目是（）。A、介质损耗B、电容量变化C、介质损耗和电容量变化D、两者都不是
在电容器的特性中，最重要的参数是电容量及介质损耗。
在电容器的特性中，最重要的参数是电容量和介质损耗。
两个电容型设备在并联情况下或异相相同电压下在电容末端测得两个电流矢量差，对该差值进行正切换算，换算所得数值叫做（）。A、介质损耗因数B、电容量C、相对介质介质损耗因数D、相对电容量
关于电流互感器电容量和介质损耗因数的表述正确的是（）。A、电容量初值差不应超过±3％B、末屏介质损耗因数要求小于0.015C、测量值异常，可测量介质损耗因数与测量电压之间的关系曲线D、220kV电流互感器介损值应小于0.006
问答题常见贴片电容的材质有：X7R、X5R、Y5V、NPO（COG）、Z5U。请问电容值和介质损耗最稳定的电容是哪一种？
判断题测量断路器电容器的介质损耗角正切值及电容值时，与产品技术条件规定的电容值的偏差应在额定电容值的-5%—＋10%范围内。A对B错
填空题测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比，其差值应在（）范围内。