除气、氧化的方法是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

除气、氧化的方法是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面

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上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
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若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
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用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
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自身釉烧结的温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
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金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
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除气、氧化的目的是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
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PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
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上釉的烧结温度是A．低于体瓷温度5℃B．低于体瓷温度10℃C．低于体瓷温度20℃D．高于体瓷温度5℃E．高于体瓷温度10℃
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金属基底冠除气的方法是A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
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金属的熔点高于瓷烧结温度是为了A．有利于金瓷的化学结合B．有利于瓷粉的冷却C．防止瓷粉烧结后崩裂D．防止金属基底变形E．使瓷烧结后产生压应力
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烤瓷合金的熔点应高于瓷烧结温度为A、50～100℃B、170～270℃C、400℃以上D、110～150℃E、280～370℃
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金属烤瓷材料中，烧结温度最低的瓷是A.遮色瓷B.体瓷(牙本质瓷)C.釉瓷D.颈瓷
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金属基底冠除气的方法是（）。A、低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB、低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC、高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD、高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE、高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
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若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
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上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
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金属烤瓷材料中，烧结温度最低的瓷是（）A、遮色瓷B、体瓷（牙本质瓷）C、颈瓷D、釉瓷
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单选题上釉的烧结温度是（）。A低于体瓷烧结温度5℃B低于体瓷烧结温度10℃C高于体瓷烧结温度5℃D高于体瓷烧结温度10℃E以上均不正确
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单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A低于体瓷烧结温度5℃B低于体瓷烧结温度10℃C高于体瓷烧结温度5℃D高于体瓷烧结温度10℃E以上均不正确
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单选题金属基底冠除气的方法是（）。A低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
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单选题PFM冠上釉时的炉温是（　　）。A与体瓷的烧结温度相同B低于体瓷烧结温度6～8℃C低于体瓷烧结温度10～20°CD高于体瓷烧结温度6～8℃E高于体瓷烧结温度10～20℃
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