从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。
从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。
参考答案和解析
正确
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当品体管接成共发射极电路，在静态时（ ）的比值称为共发射极静态放大系数。A.集电极电流Ic与基极电流IbB.集电极电流Ic与发射极电流IeC.发射极电流Ie与基极电流IbD.基极电流Ib与集电极电流Ic
对NPN三极管来说，下列说法正确的是（）。A、当发射极正向偏置时，从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区；B、扩散到基区的电子全被空穴复合掉了；C、外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差；D、以上说法都错。
造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
填空题晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。