填空题射出的光子数与注入的电子空穴对数之比称为发光二极管的（）效率。

填空题
射出的光子数与注入的电子空穴对数之比称为发光二极管的（）效率。

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相关考题：

P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
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在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
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下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子
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当Y光子通过物质的原子核附近时,与原子核的核外电子相互作用,光子将其全部能量传递给一个轨道电子,使其发射出去成为自由电子,同时光子消失,这个过程称为()。 A、光电效应B、电子对相应C、康普顿效应D、湮灭
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康普顿效应是指（）A、光子把全部能量转移给束缚电子而光子消失的过程B、光子经过原子核时受其库伦场作用，转化为一对正负电子C、高能光子与原子核作用引起的核反应D、光子与原子内某一轨道电子互相作用，产生反冲电子及散射光子的过程E、轨道电子从一个轨道跃迁到另一个轨道空穴
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理论板数与实际板数（）称为板效率。A、之比B、之积C、之差D、之和
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有效利用的热量与输入的总热量之比值的百分数，称为热效率。
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一个GaAsPIN光电二极管平均每三个入射光子，产生一个电子-空穴对。假设所有的电子都被收集。计算该器件的量子效率。
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P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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半导体自由电子数远多于空穴数称为电子型半导体，简称N型半导体。
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半导体中的电子数大于空穴数。
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原子核的（）称为该原子的原子序数。A、质子数B、中子数C、电子数D、光子数
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根据量子理论，一次碰撞就丧失其全部动能的电子将辐射出具有最大能量的X射线光子，其波长最短，称为短波限。
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理论塔板数与实际塔板数之比，称为塔板效率。
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P型半导体中，电子数目与空穴数目相比（）。A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为3：2
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本征半导体温度升高以后（）。A、自由电子增多，空穴数基本不变B、空穴数增多，自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
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要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。
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太阳光的光子在电池里激发电子空穴对，电子和空穴分别向电池的两端移动，如果外部构成通路，就形成电流，产生电压。
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半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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单选题原子荧光的量子效率是指（）A激发态原子数与基态原子数之比B入射总光强与吸收后的光强之比C单位时间发射的光子数与单位时间吸收激发光的光子数之比D原子化器中离子浓度与原子浓度之比
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单选题原子核的（）称为该原子的原子序数。A质子数B中子数C电子数D光子数
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单选题当入射X射线光子和原子内一个轨道电子发生相互作用时，光子损失一部分能量，并改变运动方向，电子获得能量而脱离原子，这个过程称为康普顿效应。损失能量后的X射线光子称为散射光子，获得能量的电子称为反冲电子。入射光子被散射时波长的改变，错误的是（）A波长变长B与电子的静止质量有关C与散射角有关D与入射光子的波长无关E与入射光子的波长有关
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问答题一个GaAsPIN光电二极管平均每三个入射光子，产生一个电子-空穴对。假设所有的电子都被收集。计算该器件的量子效率。
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单选题下列有关量子效率的描述，其中正确说法的是（）。A量子效率就是探测器吸收的光子数与激发的电子数之比B量子效率只是探测器的宏观量的描述。C量子效率与灵敏度成反比而正比于波长D如果探测器吸收一个光子而产生一个电子，其量子效率为100%
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单选题大爆炸理论预言中子数与（）数之比为1：7。A质子B电子C中微子D光子
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判断题量子效率是在特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。A对B错
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