外延工艺常用的硅源有四氯化硅 SiCl4,三氯硅烷 SiHCl3,二氯硅烷SiH2Cl2 ,硅烷SiH4,二硅烷Si2H6。请对这五种硅源外延时的生长温度高低排序?同样外延条件下,哪种源外延生长速率最快?

外延工艺常用的硅源有四氯化硅 SiCl4,三氯硅烷 SiHCl3,二氯硅烷SiH2Cl2 ,硅烷SiH4,二硅烷Si2H6。请对这五种硅源外延时的生长温度高低排序?同样外延条件下,哪种源外延生长速率最快?


参考答案和解析
正确

相关考题:

有机硅主要分为硅油、硅橡胶、()和硅烷偶联剂四大类。 A.硅乳液B.硅树脂C.硅脂D.有机硅改性树脂

反相HPLC最常用的固定相是A.辛烷基硅烷键合硅胶B.氨基键合硅胶C.十八烷基硅烷键合硅胶(ODS)D.聚乙二醇(PEG-20M)E.SE-30(350℃)

化学键合相的制备方法主要有()。A硅酯化B氯化C甲基化D硅烷化

不是肌醇气相色谱法衍生剂是()。A三甲基氯硅烷B六甲基二硅胺烷CN,N-二甲基甲酰胺D乙酰氯甲烷

下列属于多晶硅制备的方法有()A、硅烷法B、流化床法C、改良西门子法D、浮游带熔融法

将硅砂转化成可用多晶硅的形式纰谬的是()A、四氯化硅法B、三氯氢硅法C、氯化钾法D、硅烷法

环管工艺装置聚丙烯使用的给电子体Donor-C,其化学名称是()。A、环己基甲基二甲氧基硅烷B、二环戊基二甲氧基硅烷C、二异丙基二甲氧基硅烷D、二苯基二甲氧基硅烷

硅外延生长工艺包括()。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度,生长压力,生长速度D、尾气的处理

离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有()。A、砷化氢B、二硼化氢C、三氟化硼D、硅烷E、氧气

一甲基三氯硅烷的闪点为()A、-5B、-6C、-8D、-9

气相色谱法中,色谱柱的担体标有WAWDMCS,它表示担体经过下列哪一种处理()A、酸洗B、碱洗C、硅烷化D、酸洗硅烷化E、碱洗硅烷化

不是肌醇气相色谱法衍生剂是()。A、三甲基氯硅烷B、六甲基二硅胺烷C、N,N-二甲基甲酰胺D、乙酰氯甲烷

商品载体Chromosorb-W.AW.DMCS是经过清洗,并用二甲基二氯硅烷处理的Chromosorb-W白色载体。()

异丙醇和硅烷卸桶泵所使用的气源是()。

请简述硅烷储罐的填充过程。

下列属于制作非晶硅太阳电池常用的方法的是()。A、三氯氢硅还原法B、辉光放电法C、硅烷热分解法D、四氯化硅还原法

以下是制备a-SI的方法是()A、三氯氢硅还原法B、辉光放电法C、硅烷热分解法D、四氯化硅还原法

苯甘氨酸无水酰化路线的生产工艺的原理是,以()为原料,进行();将7-ADCA与三甲基氯硅烷反应得到二硅烷基化的产物。

半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体,其分子式为()。A、SiH2B、SiHC、SiH3D、SiH4

二氯二甲硅烷是用于对玻璃、塑料制品的硅烷化。因为它有毒性、挥发性、易燃,所以必须在通风橱中使用。

多晶硅可用氢气在高温(900~1100℃)下还原三氯硅烷(SiHCl3)制得。问要制备100g纯硅至少需要氢气()g,在0℃和101.325kPa下相当于()体积,又同时可产生氯化氢气体()g。(提示:SiHCl3+H2=Si+3HCl)

问答题解释APCVD,使用APCVD SiO2的主要问题是什么,是用硅烷作为反应源吗?

填空题苯甘氨酸无水酰化路线的生产工艺的原理是,以()为原料,进行();将7-ADCA与三甲基氯硅烷反应得到二硅烷基化的产物。

填空题硅气相外延的硅源有()、()、()、()等。

问答题写出下述反应的方程式: (1)Ca与二甲基汞的反应; (2)四甲基四锂与三苯基氯硅烷在乙醚中的反应; (3)三甲基硅烷HSi(CH3)3与乙烯在氯铂酸异丙醇溶液中的反应。

判断题二氯二甲硅烷是用于对玻璃、塑料制品的硅烷化。因为它有毒性、挥发性、易燃,所以必须在通风橱中使用。A对B错

单选题多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法A1234B123C2457D4567

单选题将硅砂转化成可用多晶硅的形式纰谬的是()A四氯化硅法B三氯氢硅法C氯化钾法D硅烷法