1、下列关于康普顿效应的描述正确的是 [ ]A．散射光的波长均比入射光的波长短，且随散射角增大而减小，但与散射体的性质无关B．散射光的波长均与入射光的波长相同，与散射角、散射体性质无关C．散射光中既有与入射光波长相同的，也有比入射光波长长的和比入射光波长短的。这与散射体性质有关D．散射光中有些波长比入射光的波长长，且随散射角增大而增大，有些散射光波长与入射光波长相同。这都与散射体的性质无关
1、下列关于康普顿效应的描述正确的是 [ ]
A．散射光的波长均比入射光的波长短，且随散射角增大而减小，但与散射体的性质无关
B．散射光的波长均与入射光的波长相同，与散射角、散射体性质无关
C．散射光中既有与入射光波长相同的，也有比入射光波长长的和比入射光波长短的。这与散射体性质有关
D．散射光中有些波长比入射光的波长长，且随散射角增大而增大，有些散射光波长与入射光波长相同。这都与散射体的性质无关
参考答案和解析
散射光中有些波长比入射光的波长长,且随散射角增大而增大,有些散射光波长与入射光波长相同,这都与散射体的性质无关
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下列关于标记type属性取值描述正确的是()。 下列关于li标记type属性取值描述正确的是()。A、不加type属性，项目符号显示为填充圆形B、type=circle，项目符号显示为填充圆形C、type=square}项目符号显示为中空圆形D、type=“CirC1e”，项目符号显示为填充方形
下列关于正常心电图的描述,不正确的是()。A.V1导联R／S1C.aVR导联R波 下列关于正常心电图的描述，不正确的是()。A.V1导联R/SB.V5导联R/S>1C.aVR导联R波D.aVL导联R波E.aVF导联R波
关于康普顿效应的叙述，正确的是A．光子自身波长变长，产生散射现象B．光子与外层电子作用产生康普顿效应C．产生的散射线使胶片发生灰雾D．与光电效应是同一种作用形式E．当光子能量增加时康普顿效应递减
关于方法F1的描述中正确的是(2)，关于方法F2的描述中正确的是(3)，关于方法3的描述中正确的是(4)。A．方法F1无法被访问B．只有在类O内才能访问方法F1C．只有在类P内才能访问方法F1D．只有在类Q内才能访问方法F1
关于康普顿效应,叙述正确的是 A、光子能量被原子完全吸收B、始终是X线与物质作用的主要形式C、发生概率与X线能量无关D、康普顿效应所占比例随管电压升高而增加E、10～100keV时康普顿效应少于光电效应
关于康普顿效应的叙述，错误的是（）A、光子波长变短，产生散射现象B、光子与外层电子作用产生康普顿效应C、产生的散射线使胶片发生灰雾D、是与物质作用的一种主要形式E、当光子能量增加时康普顿效应递减
以下关于光电效应和康普顿效应的不同点的论述正确的是（）。A、光电效应发生于γ射线，而康普顿效应发生于β射线B、光电效应作用于物质原子的外层轨道电子，而康普顿效应作用于物质原子的内层轨道电子C、康普顿效应同时伴随特征X射线和俄歇电子产生，而光电效应不明显D、发生光电效应后γ射线消失，而发生康普顿效应后γ射线未消失，但能量减低，方向改变E、光电效应在中能范围发生几率高，而康普顿效应在低能范围发生几率高
关于康普顿效应的叙述，正确的是（）A、光子自身波长变短，产生散射现象B、光子与内层电子作用产生康普顿效应C、产生的散射线使胶片发生灰雾D、与光电效应是同一种作用形式E、当光子能量增加时康普顿效应递增
单选题关于康普顿效应的叙述，错误的是（）A光子波长变短，产生散射现象B光子与外层电子作用产生康普顿效应C产生的散射线使胶片发生灰雾D是与物质作用的一种主要形式E当光子能量增加时康普顿效应递减
单选题关于康普顿效应，叙述正确的是（）。A光子能量被原子完全吸收B始终是X线与物质作用的主要形式C发生概率与X线能量无关D康普顿效应所占比例随管电压升高而增加E10～100keV时康普顿效应少于光电效应
单选题以下关于NAS的描述，正确的是：（） 描述1：NAS总是基于文件共享。 描述2：网络连接的距离影响NAS的性能。A描述1和描述2都正确B描述1正确，描述2错误C描述1错误，描述2正确D描述1和描述2都错误
单选题关于康普顿效应以下论述正确的是（）。A当γ射线能量较低时，康普顿效应较明显B康普顿散射光子有一确定的能量，这一能量低于入射光子的能量C发生康普顿散射后，γ射线改变方向D康普顿电子的能量与入射光子的能量相同E康普顿效应在塑料中比在铅中更显著
单选题关于康普顿效应的叙述，正确的是（）A光子自身波长变短，产生散射现象B光子与内层电子作用产生康普顿效应C产生的散射线使胶片发生灰雾D与光电效应是同一种作用形式E当光子能量增加时康普顿效应递增
单选题关于康普顿效应的叙述，正确的是（）A康普顿效应随管电压升高而增加B与X线能量无关C物质作用的一种主要形式D10～100keV时康普顿吸收少于光电E高压时与原子序数有关