vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
结型场效应管发生预夹断后,管子() A、关断B、进入恒流区C、进入饱和区D、可变电阻区
放大电路中场效应管通常工作在() A.可变电阻区B.恒流区C.夹断区D.击穿区
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
N沟道场效应管工作在变阻区时，其等效电阻与GSS有关，VGS越大，则等效电阻（）
场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈（）关系。
在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的（）。A、可变电阻（欧姆）区B、截止区C、饱和区
场效应管用作放大交流小信号时，应工作在（）A、饱和区B、非饱和区C、截止区D、击穿区
当场效应管的VGSGS（th）时，则该管工作在（）A、饱和区B、非饱和区C、击穿区D、截止区
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）A、A恒流区B、B可变电阻区C、C夹断区D、D击穿区
场效应管工作在非饱和区时，其电压电流之间呈现（）关系。A、指数B、平方C、对数D、线性
场效应管放大电路的输入电阻，主要由（）决定A、管子类型B、gmC、偏置电路D、VGS
场效应管用作α信号放大时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的（）A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
UGS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有：（）。A、JFETB、增强型MOSFETC、耗尽型MOSFET
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
场效应管工作在饱和区时具有（）的转移特性。A、线性B、指数律C、平方律D、对数律
当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
场效应晶体管的输出特性曲线是指在VGS一定的条件下，uDS和iD之间的关系。可分成四个区域，即（）区、（）区、（）区和夹断区。
晶体三极管是（）控制器件，用于放大时，工作在（）区；场效应管是（）控制器件，用于放大时，工作在（）区
单选题场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）AA恒流区BB可变电阻区CC夹断区DD击穿区
单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A正极性B负极性C零D不能确定
填空题晶体三极管是（）控制器件，用于放大时，工作在（）区；场效应管是（）控制器件，用于放大时，工作在（）区