实验中使用功率3mW的半导体激光器,属于A.1级激光B.2级激光C.3A级激光D.3B级激光

实验中使用功率3mW的半导体激光器,属于

A.1级激光

B.2级激光

C.3A级激光

D.3B级激光


参考答案和解析
C

相关考题:

当半导体激光器的注入电流()阈值电流后,输出功率才随注入电流急剧增加,发射出激光。 A、等于B、不等于C、大于D、小于

不属于半导体激光器特性参数的是() A.输出光功率B.阈值电流C.转换效率D.消光比

在光纤通信系统发送盘中APC表示()。 A、半导体激光器B、自动温度控制C、驱动控制D、自动光功率控制

半导体激光器工作时温度会升高,这时会导致阈值电流(),输出光功率会()。

F-P腔激光器从结构上划分,可分为()。A.同质结半导体激光器B.单异质结半导体激光器C.双异质结半导体激光器D.双质结半导体激光器

半导体激光器指的是用半导体材料作为激活物质的激光器。()

掺铒光纤放大器EDFA是()和1480nm/980nm大功率半导体激光器的制造技术的结合。A、光纤掺杂技术B、常规光纤C、放大器

当半导体激光器的温度的增加时,其输出光功率会随之().A、立即变为0B、恒定C、下降D、增加

速调管产生的功率( )A、OMW~1MWB、1MW~5MWC、3MW~10MWD、5MW~30MWE、7MW~50MW

磁控管产生的功率在()。A、0MW—1MWB、1MW—5MWC、3MW—10MWD、5MW—30MWE、7MW—50MW

速调管产生的功率在什么范围内?()A、0MW–1MWB、1MW-5MWC、3MW–10MWD、5MW–30MWE、7MW–50MW

速调管产生的功率在()A、0MW–1MWB、1MW-5MWC、3MW–10MWD、5MW–30MWE、7MW–50MW

以下选项中,属于半导体激光器特性的是()。A、可靠性高B、驱动电路简单C、输出光功率大D、寿命高

变流器中使用的功率元件是()。A、IGBTB、GTOC、MCTD、IGCT

用模拟法测绘静电场实验,下列说法正确的是()A、本实验用稳恒磁场模拟静电场,实验方法属于物理模拟B、本实验用稳恒电流场模拟静电场,实验方法属于物理模拟C、本实验用稳恒磁场模拟静电场,实验方法属于数学模拟D、本实验用稳恒电流场模拟静电场,实验方法属于数学模拟

对于半导体激光器,当外加正向电流达到某一值时,输出光功率将急剧增加,这时输出的光为(),这个电流称为()电流。

日前采用的LD的结构种类属于()A、F-P腔激光器(法布里—珀罗谐振腔)B、单异质结半导体激光器C、同质结半导体激光器D、双异质结半导体激光器

随着半导体激光器温度的上升,其输出功率会()。

目前光纤通信系统采用的LD的结构种类属于()。A、F-P腔激光器(法布里—珀罗谐振腔)B、单异质结半导体激光器C、同质结半导体激光器D、双异质结半导体激光器

地区电网在稳定计算中,只考虑3MW及以上的发电机组。

绝对功率电平是以()作为基础功率来计算的。A、1mWB、2mWC、3mW

填空题随着半导体激光器温度的上升,其输出功率会()。

单选题连续波半导体激光器输出功率约为()A小于1mWB几毫瓦到数百毫瓦C几瓦D几百瓦

单选题当半导体激光器的温度的增加时,其输出光功率会随之().A立即变为0B恒定C下降D增加

单选题目前光纤通信系统采用的LD的结构种类属于()。AF-P腔激光器(法布里—珀罗谐振腔)B单异质结半导体激光器C同质结半导体激光器D双异质结半导体激光器

问答题阐述半导体激光器控制电路中自动功率控制的手段和方法。

填空题对于半导体激光器,当外加正向电流达到某一值时,输出光功率将急剧增加,这时输出的光为(),这个电流称为()电流。

单选题不属于半导体激光器特性参数的是( )A输出光功率B阈值电流C转换效率D消光比光发射机的