采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。A对B错

采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。

A对

B错

参考解析

略

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西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错
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采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A对B错
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采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。A对B错
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西林电桥测试tanδ时，升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。A对B错
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采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。
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西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
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西林电桥测试tanδ时，升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。
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QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下，对同一被试设备，其tanØ随温度的升高而减少。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种（）A、把电桥移到磁场以外去测量B、使检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的tanØ值和电容值，取两次的平均值为tanØ值C、提高试验电压D、在被试设备上加装屏蔽罩
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）A、提高试验电压B、采用正接线方法C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰D、在被试设备上加装屏蔽罩
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）A、温度影响B、强电场干扰C、测量中接线错误D、测量有抽取电压装置的电容式套管时，套管表面脏污
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采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。
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采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。
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采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A、低B、高C、相等
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西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A、正接线B、反接线C、交叉接线
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，设备温度不同，所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。
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测试介质损失角正切时，QS1型西林电桥有（）种接线方式。A、二B、三C、四D、五
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如果QS1交流电桥的工作电压高于10kv，只能采用（）接线法，并配用（）标准电容器．
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。
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判断题采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。A对B错
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判断题西林电桥测试tanδ时，升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。A对B错
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单选题采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A低B高C相等
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判断题采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A对B错
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判断题西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错
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单选题西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A正接线B反接线C交叉接线
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