采用QS1电桥进行反接线测试tanδ,其工作电压不可超过10kV。

采用QS1电桥进行反接线测试tanδ,其工作电压不可超过10kV。


相关考题:

采用QS1电桥进行反接线测试tanδ,其工作电压不可超过10kV。A对B错

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错

采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A对B错

采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。A对B错

西林电桥测试tanδ时,升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。A对B错

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

西林电桥测试tanδ时,升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。

QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下,对同一被试设备,其tanØ随温度的升高而减少。

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种()A、把电桥移到磁场以外去测量B、使检流计极性转换开关处于两种不同位置时,调节电桥平衡,求得每次平衡时的tanØ值和电容值,取两次的平均值为tanØ值C、提高试验电压D、在被试设备上加装屏蔽罩

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,现场采用排除电场干扰的方法有以下几种()A、提高试验电压B、采用正接线方法C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线,排除干扰源对电源相位的干扰D、在被试设备上加装屏蔽罩

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,造成-tanØ值出现的原因有()A、温度影响B、强电场干扰C、测量中接线错误D、测量有抽取电压装置的电容式套管时,套管表面脏污

采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。

采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。

采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。A、低B、高C、相等

西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A、正接线B、反接线C、交叉接线

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,设备温度不同,所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。

测试介质损失角正切时,QS1型西林电桥有()种接线方式。A、二B、三C、四D、五

如果QS1交流电桥的工作电压高于10kv,只能采用()接线法,并配用()标准电容器.

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。

判断题采用QS1电桥进行反接线测试tanδ,其工作电压不可超过10kV。A对B错

判断题采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。A对B错

判断题西林电桥测试tanδ时,升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。A对B错

单选题采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。A低B高C相等

判断题采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A对B错

判断题西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错

单选题西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A正接线B反接线C交叉接线