补偿半导体的形成描述不正确的是（)A．指同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体B．n型半导体中材料中注入受主杂质原子C．p型半导体中材料中注入受主杂质原子D．补偿型半导体性质完全取决于杂质浓度Na与Nd的数目
补偿半导体的形成描述不正确的是（)
A．指同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体
B．n型半导体中材料中注入受主杂质原子
C．p型半导体中材料中注入受主杂质原子
D．补偿型半导体性质完全取决于杂质浓度Na与Nd的数目
参考答案和解析
B
相关考题：
有关半导体探测器灵敏度的描述，不正确的是（）A、用硅晶体制成的半导体探测器比相同体积的空气电离室的灵敏度高B、在钻-60伽玛辐射场中，N型半导体探测器的灵敏度比P型半导体探测器的灵敏度受累积剂量的影响要小C、照射野的大小会影响半导体探测器的灵敏度D、环境温度会影响半导体探测器的灵敏度E、剂量率会影响半导体探测器的灵敏度
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
自然界物质按导电能力分为（）三种。纯净的半导体又称为（）半导体，用的最多的半导体是硅和锗，它们都具有晶体结构，在纯净半导体中掺入三阶元素后形成空穴P型半导体，掺入五价元素后形成电子N型半导体，半导体受（）的影响最大。
填空题（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。