P型半导钵中,电子比空穴()A、多B、少C、一样多D、不确定

P型半导钵中,电子比空穴()

  • A、多
  • B、少
  • C、一样多
  • D、不确定

相关考题:

在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是(),N 型半导体中的电流主要是()。 A.电子电流,空穴电流B. 空穴电流,电子电流C. 电子电流,电子电流D. 空穴电流,空穴电流

P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3

P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

N型半导体中,电子数目少于空穴数目,其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中,电子数目多于空穴数目,其导电能力主要由电子决定。

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

在P型半导体中()为少子.A、自由电子B、正离子C、空穴

关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A、无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

因为P型半导体中空穴多于电子,因此P型半导体呈正电性。

P型半导体中,自由电子的数目少于空穴的数目,其导电能力主要由空穴决定,所以称为()型半导体。A、空穴B、电子C、光敏D、热敏。

P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体

P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A、空穴;空穴B、空穴;自由电子C、自由电子;空穴D、自由电子;自由电子

P型半导体中空穴多于电子,说明P型半导体带正电。

在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域,它()。A、有自由电子,没有空穴B、没有自由电子,有空穴C、有自由电子,有空穴D、没有自由电子,没有空穴

在P型半导体中,()是少数载流子。A、空穴B、电子C、硅D、锗

在P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子。

P型半导体中的多数载流子是指()A、自由电子B、空穴C、自由电子—空穴对D、等离子

本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

在外加电压的作用下,P型半导体中的电流主要是()A、电子电流B、空穴电流C、电子电流和空穴电流D、离子

P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

问答题N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

单选题关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴BP型半导体中只有空穴导电CN型半导体中只有自由电子参与导电D在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

单选题在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A空穴/自由电子B自由电子/空穴C空穴/共价键电子D负离子/正离子

单选题在非线性元件的伏安特性研究中,N型半导体和P型半导体中,多数载流子分别是()A电子、空穴B空穴、电子C电子、电子D空穴、空穴

单选题P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A空穴;空穴B空穴;自由电子C自由电子;空穴D自由电子;自由电子