晶体三极管的主要特性是具有() A、单向导电性B、滤波作用C、稳压作用D、电流放大作用
晶体三极管的输入特性曲线呈线性。() 此题为判断题(对，错)。
晶体三极管的特性可分为正向特性、反向特征及反击穿特性。() 此题为判断题(对，错)。
晶体三极管的输出特性的工作状态分为三个区，发射结（）偏压是截止区，集电节（）偏压是饱和区，欲使三极管具有放大作用，应使三极管工作在输出特性上的（）
晶体三极管具有以小变化集电极电流控制大变化基极电流的性能称为三极管的电流放大特性
由晶体三极管的输出特性曲线可知，晶体三极管有（）个工作区域。A、1B、2C、3
晶体三极管具有（）特性。A、单向导电B、放大C、开关D、以上均正确
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
晶体三极管发射结加正偏压、集电结加正偏压时，工作在截止区，具有开关特性。
晶体三极管发射结正偏、集电结反偏时，具有开关特性。
晶体三极管的输出特性曲线分为四个区，请问哪个区具有基区宽度调制效应（）A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区
晶体三极管是由（）A、2个PN结组成，具有单向导电特性B、2个PN结组成，具有电压和电流放大特性C、2个PN结组成，具有电流放大特性D、2个PN结组成，具有电压放大特性E、 3个PN结组成，具有电压和电流放大特性
由晶体三极管的输出特性曲线可知，晶体三极管有（）个工作区域。A、1B、2C、3D、4
晶体三极管在一定的集电极电压作用下，加在基极与发射极之间的电压与基极电流之间的关系称晶体三极管的（）。A、静态特性B、动态特性C、输出特性D、输入特性
晶体三极管的特性可分为（）特性和（）特性及反向击穿特性。
晶体三极管的特性可分为正向特性、反向特性及反击穿特性。
晶体管特性图示仪不能测量晶体三极管的（）。A、输入特性B、反向电流C、击穿电压D、频率特性
判断题晶体三极管具有电压放大特性和开关特性。A对B错
单选题由晶体三极管的输出特性曲线可知，晶体三极管有（）个工作区域。A1B2C3
单选题晶体三极管具有（）放大的特性。A电压B电阻C电流D电功