在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V，1.2V，1V，则该管为：（）。A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管D.PNP型锗管
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。ANPN型晶体管；BPNP型晶体管；C硅管；D锗管。
由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A、“M”型B、“N”型C、“L”型D、“P”型E、“F”型
物质材料中属于晶体材料的有（）。A、硅B、硼C、锗D、磷
由自由电子参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A、“M”型B、“N”型C、“L”型D、“P”型E、“F”型
测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
中晶体硅或锗中，参与导电的是（）A、离子B、自由电子C、空穴D、B和C
在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。A、三价B、四价C、五价
国产晶体管2CW表示（）。A、N型硅材料微波管B、P型锗材料稳压管C、N型硅材料稳压管D、P型锗材料微波管
锗的本征导电能力比硅高（）。A、10倍B、100倍C、1000倍D、10000倍
半导体锗和硅都是晶体结构，所以半导体管又称为晶体管。
晶体管符号中，箭头朝内者，表示它是（）。A、硅管；B、锗管；C、NPN管；D、PNP管。
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE＝6V，UB=5.3V，UC=0V，则该管为（）。A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
单选题由自由电子参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A“M”型B“N”型C“L”型D“P”型E“F”型
单选题中晶体硅或锗中，参与导电的是（）A离子B自由电子C空穴DB和C
单选题晶体三极管3DG12的材料和极性是（）APNP型，锗材料BNPN型，锗材料CPNP型，硅材料DNPN型，硅材料
单选题晶体管符号中，箭头朝外者，表示它是（）。A硅管B锗管CNPN管DPNP管
单选题由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A“M”型B“N”型C“L”型D“P”型E“F”型
单选题晶体硅或锗中，参与导电的是（）。A离子B自由电子C空穴DB和C
问答题试述半导体材料硅（锗）是如何形成晶体结合的，它们的键有些什么特点？
单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A硅PNP型B硅NPN型C锗PNP型D锗NPN型