单选题当你正为一表面偏置操作加入一偏置距离时,什么将决定偏置的正方向()A矢量构造器B正的绝对坐标系轴之一C表面法向,指离实体D选择两个矢量箭头之一定义正方向

单选题
当你正为一表面偏置操作加入一偏置距离时,什么将决定偏置的正方向()
A

矢量构造器

B

正的绝对坐标系轴之一

C

表面法向,指离实体

D

选择两个矢量箭头之一定义正方向


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解析: 暂无解析

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三极管处于截止状态时( )。 A.发射结正向偏置,集电结反向偏置B.发射结反向偏置,集电结反向偏置C.发射结正向偏置,集电结正向偏置D.发射结反向偏置,集电结正向偏置

如果晶体三极管的(),则该管工作于饱和区。 A、发射结正偏置,集电结反偏置B、发射结正偏置,集电结正偏置C、发射结反偏置,集电结正偏置D、发射结反偏置,集电结反偏置

什么是正向偏置和反向偏置?二极管在正向偏置和反向偏置时分别为什么状态?

关于PIN和APD的偏置电压表述,正确的是()A.均为正向偏置B.均为反向偏置C.前者正偏,后者反偏D.前者反偏,后者正偏

对PILOT_INC设置说明正确的是()。 A.如果设置过高,则可用的PN偏置将减少,PN偏置的重用距离将减小,从而可能引起同PN干扰B.如果设置太小(设置为1,总共有512个可用PN偏置),则容易发生邻PN干扰C.如果设置过高,则可用的PN偏置将减少,PN偏置的重用距离将减小,从而可能引起邻PN干扰D.如果设置太小(设置为1,总共有512个可用PN偏置),则容易发生同PN干扰

体三极管用来放大时,应使 ()A、发射结处于反向偏置,集电结处于正向偏置。B、发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。C、发射结处于正向偏置,集电结处于正向偏置。D、发射结处于反向偏置,集电结处于反向偏置。

工件零点偏置可根据需要,将所需的偏置量输入()中。A、基本地址寄存器B、偏置寄存器C、操作控制器

晶体管工作在饱和区的条件是()。A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结正向偏置,集电结正向偏置D、发射结反向偏置,集电结反向偏置

关于PIN和APD的偏置电压表述,正确的是()。A、均为正向偏置B、均为反向偏置C、前者正偏,后者反偏D、前者反偏,后者正偏

三极管工作在放大状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。若工作在饱和状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。若工作在截止状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。

在GSK928数控系统中,G27指令执行后将消除系统的()A、系统坐标偏置B、刀具偏置C、系统坐标偏置和刀具偏置

所谓三极管工作在倒置状态,是指三极管()。A、发射结正偏置,集电结反偏置B、发射结正偏置,集电结正偏置C、发射结反偏置,集电结正偏置D、发射结反偏置,集电结反偏置

为了克服相位差引起的下滑道弯曲,下滑的上天线和下天线安装时应:()A、保持在同一轴线上B、上天线向跑道方向偏置,下天线离开跑道方向偏置C、下天线向跑道方向偏置,上天线离开跑道方向偏置D、上天线向上方偏置,下天线向下方向偏置

光电二极管加()电压能产生电流,发光二极管()电压下工作。A、反向偏置,正向偏置B、正向偏置,反向偏置C、正向偏置,正向偏置D、反向偏置,反向偏置

放大电路正常工作时要满足()。A、发射结集电结都正向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结集电结都反向偏置D、发射结正向偏置,集电结反向偏置

单选题下列关于“偏置曲面”的说法,哪个是正确的()。A偏置值只能为正B方向可以取反向C偏置对象只能是实体表面D偏置对象只能是片体

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单选题关于PIN和APD的偏置电压表述,正确的是()。A均为正向偏置B均为反向偏置C前者正偏,后者反偏D前者反偏,后者正偏

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单选题某个面上有一条样条曲线,现在需要将该样条曲线在面轮廓内按距离偏置,应该使用如下的哪个命令()A面内偏置B面偏置C偏置→曲线沿面D编辑→变形→面样条线

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