晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。 A、一个B、两个C、三个D、四个
晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子,集电区的作用是收集这些自由电子。() 此题为判断题(对，错)。
三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定
关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成,故E极和C极可以互换使用。() 此题为判断题(对，错)。
晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。() 此题为判断题(对，错)。
PNP三极管工作特点是（）.A、发射区发射电子，集电区收集电子B、发射区发射空穴，集电区收集电子C、发射区发射电子，集电区收集空穴D、发射区发射空穴，集电区收集空穴
体管分为三层分别为：发射区、基区和（）。A、集电区B、收集区C、放大区D、扩张区
三极管是有三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（）A、基区B、栅区C、集电区D、发射区
晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。
晶体管分为三层分别为（）A、发射区B、放大区C、集电区D、基区E、扩张区
晶体三极管它有三个区和三个引出电极，分别是（）。A、集电区（极）B、基区（极）C、控制区（极）D、发射区（极）
每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
单结晶体管的三个工作区域是（）。A、截止区B、负阻区C、饱和区D、集电区
晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
下列关于晶体三极管说法证确的是（）。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
三极管最薄的区是（）。A、发射区B、集电区C、基区
半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
单选题晶体管是由单层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。A基区B栅区C集电区D发射区
多选题单结晶体管的三个工作区域是（）。A截止区B负阻区C饱和区D集电区
填空题每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A对B错