单选题关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是（）A利用气体的电离效应BX线强度大时，电离电流大CX线强度大时，曝光时间长D电容充电电流与X线曝光量成反比E电离电流小时，曝光时间长
单选题
关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是（）
A
利用气体的电离效应
B
X线强度大时，电离电流大
C
X线强度大时，曝光时间长
D
电容充电电流与X线曝光量成反比
E
电离电流小时，曝光时间长
参考解析
解析：
X线辐射强度越大,光电管转换出的电流量越大,曝光时间就越短,反之,X线强度弱,光电流量就小,曝光时间就越长.故此题答案选C。
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关于自动曝光控制(AEC)的解释，错误的是A、根据被照体厚薄预先确定曝光量B、有电离室式探测器C、AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D、有半导体式探测器E、探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）A、被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B、探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C、AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关D、探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样E、探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
关于电离室自动曝光控时的叙述，哪组是错误的（）A、X线辐射强度大，电离电流大B、电容器的放电速率与电离电流成反比C、V管导通的时间短，曝光时间则短D、电容器放电电流正比于X线辐射强度E、电容器放电与X线辐射强度成正比
关于-DSA自动曝光的叙述，错误的是（）A、有光电管自动曝光控制B、有电离室自动曝光控制C、光电管自动曝光控制的基础是荧光效应D、电离室自动曝光控制的基础是电离效应E、-DSA检查一般选择手动曝光条件
在三纽制控制X线机主机系统中，每次摄影都必须重复的分别调节（）、（）和（），其中（）决定X线影像的对比度；（）和（）的乘积决定影像的密度和清晰度；在单纽制控制的X线机中，采用自动曝光控时，自动曝光控时是采用毫安秒限时电路。自动曝光系统主要由两种不同形式的自动曝光控制，即以荧光效应控制的光电管自动曝光控时系统和通用范围较广的（）
在三钮制控制X线机主机系统中，每次摄影都必须重复地分别调节三个参量：（）、（）、（）。其中（）决定X线影像的对比度，（）与（）的乘积决定影像的密度和清晰度；在单钮制控制主机系统中，采用自动曝光控时，自动曝光控时电路是采用（）限时电路。自动曝光系统主要有两种不同形式的自动曝光控制，即以荧光效应控制的（）和通用范围较广的（）。
关于光电管自动曝光控时原理的叙述，哪组是错误的（）A、光电管接受X线辐射产生光电流B、光电流与电容器充速率成正比C、冷阴极充气管电离时间短曝光时间则短D、控制曝光时间是通过二极管完成E、X线辐射强度小，则自动延长曝光时间
单选题关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）A被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B探测器有电离室式、半导体、荧光体3种CAEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关D探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样E探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
填空题在三纽制控制X线机主机系统中，每次摄影都必须重复的分别调节（）、（）和（），其中（）决定X线影像的对比度；（）和（）的乘积决定影像的密度和清晰度；在单纽制控制的X线机中，采用自动曝光控时，自动曝光控时是采用毫安秒限时电路。自动曝光系统主要由两种不同形式的自动曝光控制，即以荧光效应控制的光电管自动曝光控时系统和通用范围较广的（）
单选题关于-DSA自动曝光的叙述，错误的是（）A有光电管自动曝光控制B有电离室自动曝光控制C光电管自动曝光控制的基础是荧光效应D电离室自动曝光控制的基础是电离效应E-DSA检查一般选择手动曝光条件
单选题关于自动曝光控制（AEC）的解释，错误的是（）。A根据被照体厚薄预先确定曝光量B有电离室式探测器CAEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D有半导体式探测器E探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
单选题关于电离室自动曝光控时的叙述，哪组是错误的（）AX线辐射强度大，电离电流大B电容器的放电速率与电离电流成反比CV管导通的时间短，曝光时间则短D电容器放电电流正比于X线辐射强度E电容器放电与X线辐射强度成正比
填空题在三钮制控制X线机主机系统中，每次摄影都必须重复地分别调节三个参量：（）、（）、（）。其中（）决定X线影像的对比度，（）与（）的乘积决定影像的密度和清晰度；在单钮制控制主机系统中，采用自动曝光控时，自动曝光控时电路是采用（）限时电路。自动曝光系统主要有两种不同形式的自动曝光控制，即以荧光效应控制的（）和通用范围较广的（）。