上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
烧结温度是指烧结料层中某一点达到的( )。A.点火温度B.最高温度C.平均温度
关于烤瓷冠瓷层透明度描述正确的为A、与烧结的次数无关B、烧结温度偏高较好C、随着烧结次数的增加而提高D、随着烧结次数的增加而降低E、烧结温度偏低较好
生料加热煅烧控制所必须的最少的液相量时的温度叫（）。A、开始烧结温度B、烧结温度C、要求烧结温度
烧结温度是指烧结料层中某一点达到的（）。A、点火温度B、最高温度C、平均温度
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
烧结点火温度原则上应低于烧结料熔化温度而接近物料的（）温度。A、软化B、结晶C、再结晶
烧结点火温度原则上应低于烧结料熔化温度而接近物料的软化温度。
名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。
简述烧结、烧成、烧成温度、烧成温度、液相烧结和固相烧结的定义。
问答题简述烧结、烧成、烧成温度、烧成温度、液相烧结和固相烧结的定义。
单选题泰曼发现烧结温度（TS）和熔融温度（TM）的关系，下列叙述正确的（）A金属粉末TS=（0.3~0.4）TMB盐类TS=0.55TMC硅酸盐TS=（0.8~1.0）TMD硅酸盐TS=0.9TM
单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A低于体瓷烧结温度5℃B低于体瓷烧结温度10℃C高于体瓷烧结温度5℃D高于体瓷烧结温度10℃E以上均不正确
填空题烧结温度至（）之间的温度区间称为烧结温度范围。
问答题名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。