上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
混合溶剂烧结法和熔融法比较,烧结法的温度较低,加热时间较短,但不易损坏坩埚。() 此题为判断题(对，错)。
引物的退火温度与解链温度(Tm)的关系通常是( )。A、退火温度比Tm高5℃～10℃B、退火温度比Tm低5℃～10℃C、退火温度比Tm低10℃～15℃D、退火温度比Tm高15℃～20℃E、退火温度比Tm低15℃～20℃
在一般加热炉内，炉气温度Tg，炉壁温度Tw和炉料温度Ts之间的关系为（）A、TgTwTsB、TgC、TgD、TgTsTw
模具的浇注温度Tj与工作温度Tm的关系是：Tm=1/4Tj±25。（）
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
低水低炭厚料层烧结，烧结温度曲线由熔融转变为低温型，烧结最温度控制在1250-1280℃，并保持1100℃以上温度的时间在（）以上。A、5minB、10minC、15min
名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。
沉淀铁催化剂属低温型铁催化剂，反应温度小于280℃，活性高于熔融铁或烧结铁剂。
简述烧结、烧成、烧成温度、烧成温度、液相烧结和固相烧结的定义。
熔融性的三个特性温度是：DT—变形温度、ST—软化温度和（）。
单选题一般盐类烧结温度TS与熔点TM的关系是（）ATS=0.69TMBTS=0.57TMCTS=0.78TMDTS=0.65TM
判断题模具的浇注温度Tj与工作温度Tm的关系是：Tm=1/4Tj±25。（）A对B错
问答题何谓釉的始熔温度，全熔温度，流动温度及熔融温度范围？影响釉的熔融温度的因素有哪些？
单选题一般无机非金属热压烧结温度THP与熔点TM的关系是（）ATHP=0.8~0.9TMBTHP=0.8~1.0TMCTHP=0.7~0.8TMDTHP=0.5~0.6TM
问答题简述烧结、烧成、烧成温度、烧成温度、液相烧结和固相烧结的定义。
单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A低于体瓷烧结温度5℃B低于体瓷烧结温度10℃C高于体瓷烧结温度5℃D高于体瓷烧结温度10℃E以上均不正确
单选题成型时，料筒温度一般应控制在塑料的（）。A玻璃化温度至分解温度之间B熔融温度至分解温度之间C玻璃化温度至熔融温度之间D黏流温度至熔融温度之间
问答题名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。
单选题一般无机非金属烧结温度TS与熔点TM的关系是（）ATS=0.8~0.9TMBTS=0.8~1.0TMCTS=0.7~0.8TMDTS=0.6TM