单选题LDR R2,[R3,#128]的寻址方式是()A寄存器寻址B寄存器移位C变址寻址D间接寻址

单选题
LDR R2,[R3,#128]的寻址方式是()
A

寄存器寻址

B

寄存器移位

C

变址寻址

D

间接寻址


参考解析

解析: 暂无解析

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有一直流电桥电路如下图,其电桥的平衡条件是()。 A、R1²R2=R3²R4B、R1²R3=R2²R4C、R1²R4=R2²R3

以下ARM处理器的指令或伪指令错误的是()。A.MOV R1,R2B.LDR R1,0x12345678C.LDR R1,=0x00000020D.ADC R1,R2,R3

已知R2=1000,R3=200,执行指令MOV R2,R3, LSL2后,R2=___【15】____,R3=__【16】_____。

ADD R0,R1,[R2]中的第二操作数属于( )方式。A.立即寻址B.寄存器间接寻址C.寄存器寻址D.基址变址寻址

LDRR2,[R3,128]的寻址方式是()。 A.寄存器寻址B.寄存器移位C.变址寻址D.间接寻址

由证券主管当局、证券交易所、券商制定的最初保证金率R1、R2、R3的相互关系可表示为()。A:R1≥R2≥R3B:R1≤R2≤R3C:R2≥R3≥R1D:R3≥R1≥R2

下列CBA工艺中回收率最高的是()。A、R3、R4循环工艺B、R2、R3、R4循环工艺C、R2、R3循环工艺D、R3循环工艺

ARM汇编语句“ADD R0, R2, R3, LSL#1”的作用是()A、 R0 = R2 + (R3  1) B、 R0 =( R2 1) + R3 C、 R3= R0+ (R2  1) D、 (R3  1)= R0+ R2

指令“LDMIAR0!,{R1,R2,R3,R4}”的寻址方式为()A、立即寻址B、寄存器间接寻址C、多寄存器寻址D、堆栈寻址

指令“ADDR0,R1,R2”的寻址方式为()A、立即寻址B、寄存器间接寻址C、多寄存器寻址D、寄存器寻址

LDRR2,[R3,#3]属于()寻址方式。A、立即B、寄存器寻址C、寄存器间接寻址D、寄存器移位寻址

LDRR2,[R3,#128]的寻址方式是()。A、寄存器寻址B、寄存器移位C、变址寻址D、间接寻址

r1 is the hub , multipoint mode subinterface, r2 and r3 is spoke, when r2 down at the spoke, What will r1 react?how about r3?

假设R2=2.2,当执行R3=TRUNC[R2]时,是将值2.0赋给变量R3(SIEMENS系统)。

LDR R2,[R3,#128]的寻址方式是()A、寄存器寻址B、寄存器移位C、变址寻址D、间接寻址

以下ARM指令中不属于数据处理类指令的是()A、ADC R1,R2,R3B、LDR R1,[R2]C、MOV R1,R2,LSL#4D、ORR R1,R2,R3

已知R2=1000,R3=200,执行指令MOV R2,R3,LSL#2后,R2=(),R3=()。

由厚度都相同的平壁组成的三层平壁而言,若λ1>λ2>λ3,则热阻R1,R2,R3之间的关系为()。 A、R1>R2>R3B、R1<R2<R3C、R1>R3>R2D、R3>R1>R2

下列寻址方式中出现在指令“ADD R2,(R1)”中的是()。A、隐含寻址B、存储器间接寻址C、寄存器间接寻址D、直接寻址

访问128个位地址用位寻址方式,访问低128字节单元用直接或间接寻址方式。

访问片内RAM低128字节使用哪些寻址方式?访问片内RAM高128字节使用什么寻址方式?访问SFR使用什么寻址方式?

单选题LDRR2,[R3,#128]的寻址方式是()。A寄存器寻址B寄存器移位C变址寻址D间接寻址

填空题已知R2=1000,R3=200,执行指令MOV R2,R3,LSL#2后,R2=(),R3=()。

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