LDR R2，[R3，#128]的寻址方式是（）A、寄存器寻址B、寄存器移位C、变址寻址D、间接寻址

LDR R2，[R3，#128]的寻址方式是（）

  • A、寄存器寻址
  • B、寄存器移位
  • C、变址寻址
  • D、间接寻址

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有一直流电桥电路如下图,其电桥的平衡条件是()。 A、R1²R2=R3²R4B、R1²R3=R2²R4C、R1²R4=R2²R3
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以下ARM处理器的指令或伪指令错误的是（）。A.MOV R1,R2B.LDR R1,0x12345678C.LDR R1,=0x00000020D.ADC R1,R2,R3
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已知R2＝1000,R3＝200,执行指令MOV R2,R3, LSL2后，R2＝___【15】____,R3=__【16】_____。
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ADD R0,R1,[R2]中的第二操作数属于（ ）方式。A.立即寻址B.寄存器间接寻址C.寄存器寻址D.基址变址寻址
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LDRR2,[R3,128]的寻址方式是()。 A.寄存器寻址B.寄存器移位C.变址寻址D.间接寻址
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由证券主管当局、证券交易所、券商制定的最初保证金率R1、R2、R3的相互关系可表示为()。A:R1≥R2≥R3B:R1≤R2≤R3C:R2≥R3≥R1D:R3≥R1≥R2
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下列CBA工艺中回收率最高的是（）。A、R3、R4循环工艺B、R2、R3、R4循环工艺C、R2、R3循环工艺D、R3循环工艺
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ARM汇编语句“ADD R0, R2, R3, LSL#1”的作用是（）A、 R0 = R2 + (R3  1) B、 R0 =( R2 1) + R3 C、 R3= R0+ (R2  1) D、 (R3  1)= R0+ R2
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指令“LDMIAR0!，{R1，R2，R3，R4}”的寻址方式为（）A、立即寻址B、寄存器间接寻址C、多寄存器寻址D、堆栈寻址
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指令“ADDR0，R1，R2”的寻址方式为（）A、立即寻址B、寄存器间接寻址C、多寄存器寻址D、寄存器寻址
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LDRR2，[R3，#3]属于（）寻址方式。A、立即B、寄存器寻址C、寄存器间接寻址D、寄存器移位寻址
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LDRR2，[R3，#128]的寻址方式是（）。A、寄存器寻址B、寄存器移位C、变址寻址D、间接寻址
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r1 is the hub ， multipoint mode subinterface， r2 and r3 is spoke， when r2 down at the spoke， What will r1 react？how about r3？
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假设R2=2.2，当执行R3=TRUNC[R2]时，是将值2.0赋给变量R3（SIEMENS系统）。
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以下ARM指令中不属于数据处理类指令的是（）A、ADC R1，R2，R3B、LDR R1，[R2]C、MOV R1，R2，LSL#4D、ORR R1，R2，R3
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已知R2＝1000，R3＝200，执行指令MOV R2，R3，LSL#2后，R2＝（），R3=（）。
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由厚度都相同的平壁组成的三层平壁而言，若λ1＞λ2＞λ3，则热阻R1，R2，R3之间的关系为（）。 A、R1＞R2＞R3B、R1＜R2＜R3C、R1＞R3＞R2D、R3＞R1＞R2
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下列寻址方式中出现在指令“ADD R2，（R1）”中的是（）。A、隐含寻址B、存储器间接寻址C、寄存器间接寻址D、直接寻址
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访问128个位地址用位寻址方式，访问低128字节单元用直接或间接寻址方式。
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访问片内RAM低128字节使用哪些寻址方式？访问片内RAM高128字节使用什么寻址方式？访问SFR使用什么寻址方式？
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单选题LDRR2，[R3，#128]的寻址方式是（）。A寄存器寻址B寄存器移位C变址寻址D间接寻址
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填空题已知R2＝1000，R3＝200，执行指令MOV R2，R3，LSL#2后，R2＝（），R3=（）。
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单选题指令“LDMIAR0!，{R1，R2，R3，R4}”的寻址方式为（）A立即寻址B寄存器间接寻址C多寄存器寻址D堆栈寻址
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单选题指令“ADDR0，R1，R2”的寻址方式为（）A立即寻址B寄存器间接寻址C多寄存器寻址D寄存器寻址
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问答题r1 is the hub ， multipoint mode subinterface， r2 and r3 is spoke， when r2 down at the spoke， What will r1 react？how about r3？
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单选题LDR  R2，[R3，#128] 的寻址方式是（）A 寄存器寻址B 寄存器移位C 变址寻址D 间接寻址
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单选题LDRR2，[R3，#3]属于（）寻址方式。A立即B寄存器寻址C寄存器间接寻址D寄存器移位寻址
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