应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A、硒鼓检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器
下列图像获取方式属于直接数字化方式的是A.CCD平板传感器B.碘化铯非晶硅平板探测器S 下列图像获取方式属于直接数字化方式的是A.CCD平板传感器B.碘化铯非晶硅平板探测器C.非晶硒平板探测器D.胶片数字化仪E.计算机X线摄影
关于DR探测器的类型，错误的是A．非晶硒平板型探测器B．非晶硅平板型探测器C．碘化铯平板型探测器D．多丝正比室扫描DRE．CCD摄像机型DR
属于DR成像直接转换方式的是A．非晶硒平板探测器B．碘化铯+非晶硅平板探测器C．利用影像板进行X线摄影D．固定IP+CCD摄像机阵列E．硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
属于DR成像间接转换方式的部件是A．增感屏B．非晶硒平板探测器C．碘化铯+非晶硅探测器D．半导体狭缝线阵探测器E．多丝正比电离室
属于DR成像直接转换方式的是（）A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
非晶硒平板探测器的结构主要包括（）、（）、（）和（）四部分。
属于DR成像间接转换方式的部件是（）A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
DR成像设备类型包括（）。A、非晶硒平板型探测器B、非晶硅平板探测器型C、IP成像方式D、多丝正比室扫描投影DRE、CCD摄像机型DR
非晶硒与非晶硅平板探测器本质区别是（）A、信号输出方式不同B、图像重建方法不同C、图像矩阵大小不同D、光电转换过程不同E、模/数转换过程不同
关于间接转换型平板探测器结构的描述，错误的是（）A、表面电极B、基板层C、光电二极管D、非晶硅TFT阵列E、碘化铯晶体层
应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓探测器，B、IP成像转换器，C、直接转换平板探测器，D、间接转换平板探测器，E、多丝正比室检测器
单选题非晶硅平板探测器的结构不包括（ ）。AX线转换介质B探测器单元阵列C高速信号处理D数字影像传输E荧光体层
单选题非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于（ ）。A信号读出B荧光材料层和探测元阵列层的不同CA/D转换D信号输出E信号放大
多选题数字平板探测器主要分为（ ）。A非晶硅B非晶硒CCCDDCREDR
多选题目前DSA设备图像检测探测器主要有（）。A影像增强器系统结合电荷耦合器件的探测器B非晶硅平板探测器C非晶硒平板探测器D阴极射线管E影像增强器
单选题非晶硒与非晶硅平板探测器本质区别是（）A信号输出方式不同B图像重建方法不同C图像矩阵大小不同D光电转换过程不同E模/数转换过程不同
单选题关于非晶硅平板探测器及其工作原理的叙述，正确的是（ ）。A将入射的X线光子转换为可见光的是光电二极管B将可见光转换成电信号的是模/数转换器C主要分为碘化铯＋非晶硅、荧光体＋非晶硅两类D非晶硅平板探测器属于直接转换型平板探测器E在闪烁晶体上形成储存电荷
单选题关于间接转换型平板探测器结构的描述，错误的是（ ）。A表面电极B基板层C光电二极管D非晶硅TFT阵列E碘化铯晶体层
多选题关于间接转换型平板探测器结构的叙述，正确的是（ ）。A碘化铯晶体层B非晶硅TFT阵列C光电二极管D行驱动电路E表面电极
多选题DR成像设备类型包括（）。A非晶硒平板型探测器B非晶硅平板探测器型CIP成像方式D多丝正比室扫描投影DRECCD摄像机型DR
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）。A硒鼓检测器BIP成像转换器C直接转换平板探测器D间接转换平板探测器E多丝正比室检测器
单选题下列不属于X线数字影像的获取或转换的方式的是（ ）。A胶片数字扫描仪B计算机X线摄影C碘化铯/非晶硅平板探测器D非晶硒平板探测器EMRI
单选题属于DR成像直接转换方式的部件是（）A闪烁体+CCD摄像机阵列B非晶硒平板探测器C碘化铯+非晶硅探测器D半导体狭缝线阵探测器E多丝正比电离室
填空题非晶硒平板探测器的结构主要包括（）、（）、（）和（）四部分。
单选题属于DR成像直接转换方式的是（）A非晶硒平扳探测器B碘化铯+非晶硅平扳探测器C利用影像板进行X线摄影D闪烁体+CCD摄像机阵列E硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是（ ）。A闪烁体B非晶硒平板探测器CCCD摄像机阵列D碘化铯＋非晶硅探测器E半导体狭缝线阵列探测器
单选题属于DR成像间接转换方式的部件是（）A增感屏B非晶硒平板探测器C多丝正比电离室D碘化色+非晶硅探测器E半导体狭缝线阵探测器