已知某64位机主存采用半导体存储器,其地址码为26位,若使用4M×8位的DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间,并选用内存条结构形式,问: (1)每个内存条内共有多少DRAM芯片? (2)主存共需多少DRAM芯片?
已知某64位机主存采用半导体存储器,其地址码为26位,若使用4M×8位的DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间,并选用内存条结构形式,问: (1)每个内存条内共有多少DRAM芯片? (2)主存共需多少DRAM芯片?
参考答案和解析
(1) 4(块)(2)32(片)(3)主存共需DRAM芯片为:4×32=128 (片)每个内存条有32片DRAM芯片,容量为16M×64位,需24根地址线(A23~A0)完成内 存条内存储单元寻址。一共有4块内存条,采用2根高位地址线(A25~A24),通过2:4译码器译码产生片选信号对各模块板进行选择。
相关考题:
有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读/写周期?死时间率是多少?
某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?
PC中既使用ROM,也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中,正确的是( )。A.SRAM和DRAM都是RAM,芯片掉电后,存放在SRAM和DRAM芯片中的内容都会丢失B.PC中CMOS RAM中的信息,在PC关机后一般也会丢失C.由于SRAM的速度比DRAM的慢,因此,在PC中,DRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由SRAM组成D.ROM和SRAM及DRAM都是半导体存储器,因此,现常用ROM代替RAM来存放原来存放在CMOS RAM中的信息
PC中既使用ROM,也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中,错误的是______。A.ROM芯片掉电后,存放在芯片中的内容会丢失B.PC中CMOS RAM中的信息,在PC关机后一般不会丢失C.由于SRAM的速度比DRAM快,因此,在PC中,SRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由DRAM组成D.RAM芯片掉电后,存在芯片中的内容会丢失
为提高PC机主存储器的存取速度,出现了多种类型的DRAM内存条,若按存取速度从低到高排列,正确的顺序是( )。A.EDO DRAM,SDRAM,RDRAMB.EDO DRAM,RDRAM,SDRAMC.SDRAM,EDO DRAM,RDRAMD.RDRAM,DEO DRAM,SDRAM
已知某机字长8位,现采用半导体存储器作主存,其地址线为16位,若使用1K×4的SRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间,并采用存储模板结构形式。若每块模板容量为4K×8,共需多少块存储模板?
某机字长16位,CPU地址总线18位,数据总线16位,存储器按字编址,CPU的控制信号线有:MREQ#(存储器访问请求,低电平有效),R/W#(读写控制,低电平为写信号,高电平为读信号)。试问:【**,★,包捷5.2,编号3.3,3.5.2】该机主存采用64K×1位的DRAM芯片(内部为4个128×128阵列)构成最大主存空间,则共需()个芯片;若采用异步刷新方式,单元刷新间隔为2ms,则刷新信号的周期为()。
有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?
问答题某机字长16位,CPU地址总线18位,数据总线16位,存储器按字编址,CPU的控制信号线有:MREQ#(存储器访问请求,低电平有效),R/W#(读写控制,低电平为写信号,高电平为读信号)。试问:【**,★,包捷5.2,编号3.3,3.5.2】该机主存采用64K×1位的DRAM芯片(内部为4个128×128阵列)构成最大主存空间,则共需()个芯片;若采用异步刷新方式,单元刷新间隔为2ms,则刷新信号的周期为()。
问答题已知某机字长8位,现采用半导体存储器作主存,其地址线为16位,若使用1K×4的SRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间,并采用存储模板结构形式。若每块模板容量为4K×8,共需多少块存储模板?
问答题有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?
判断题微机大容量主存一般采用DRAM芯片组成。A对B错