4M×1位DRAM存储芯片需要地址总线为()条,由此种芯片构成8M×8位高集成度的内存条,所需该存储芯片的片数为()片。

4M×1位DRAM存储芯片需要地址总线为()条,由此种芯片构成8M×8位高集成度的内存条,所需该存储芯片的片数为()片。


相关考题:

某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?

设存储器的地址线有15条,存储单元为字节,采用2K×4位芯片,按全译码方法组成存储器,当该存储器被扩充成最大容量时,需要此种存储芯片的数量是( )。A.16片B.32片C.64片D.128片

某存储芯片的地址线为24条,则该内存条的容量是(46)。A.16MBB.1MBC.4MBD.8MB

地址总线为A15(高位)~A0(低位),若用1K×4的存储芯片组成4K字节存储器,并且以地址总线的高位做片选,则加在各存储芯片上的地址线是()。A.A15~A0B.A11~A0C.A9~A0D.A8~A0

设CPU地址总线有24根,数据总线有32根,用512K×8位的RAM芯片构成该机的主存储器,则该机主存最多需要()片这样的存储芯片。A.256B.512C.64D.128

要组成容量为4M×8位的存储器,需要()片4M×1位的芯片,或需()片1M×8位的存储芯片。

由4M×1位存储芯片构成8M×8位的内存条,所需该存储芯片的片数为()。A、4片B、8片C、16片D、32片

现有如下存储芯片:2K×1的ROM、4K×1的RAM、8K×1的ROM。若用它们组成容量为16KB的存储器,前4KB为ROM,后12KB为RAM ,CPU的地址总线16位。各种存储芯片分别用多少片?

内存容量为16KB的存储芯片,数据线8条,地址线为()A、13条B、14条C、15条D、16条

由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条,所需该存储芯片的片数为()A、4B、8C、16D、32

CPU高速缓存是采用以下哪种存储芯片()A、EPROMB、SRAMC、FLASH ROMD、DRAM

有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位的DRAM构成。问:(1)总共需要多少DRAM芯片?(2)采用异步刷新,如果单元刷新间隔不超过8ms,则刷新信号周期是多少?

8k×8位的SRAM存储芯片,需要寻址线()根。

若选用1K×4存储芯片组成容量为8K×8的内存,则需要()这样的存储芯片。A、8片B、2片C、6片D、4片

32M×8b的DRAM芯片,其外部数据线和地址线为多少条?

由2K×1bit的芯片组成容量为4K×8bit的存储器需要()个存储芯片。A、2B、8C、32D、16

由2K×4的芯片组成容量为4KB的存储器需要()片这样的存储芯片。A、2B、4C、8D、16

若地址总线为A15(高位)~A0(低位),若用2KB的存储芯片组成8KB存储器,则加在各存储芯片上的地址线是()。A、A11~A0B、A10~A0C、A9~A0D、A8~A0

问答题32M×8b的DRAM芯片,其外部数据线和地址线为多少条?

单选题某容量为256M的存储器,由若干4M*8位的DRAM芯片构成,该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚总数是:()A19B22C30D36

单选题由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条,所需该存储芯片的片数为()A4B8C16D32

单选题由4M×1位存储芯片构成8M×8位的内存条,所需该存储芯片的片数为()。A4片B8片C16片D32片

填空题4M×1位DRAM存储芯片需要地址总线为()条,由此种芯片构成8M×8位高集成度的内存条,所需该存储芯片的片数为()片。

问答题有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位的DRAM构成。问:(1)总共需要多少DRAM芯片?(2)采用异步刷新,如果单元刷新间隔不超过8ms,则刷新信号周期是多少?

单选题内存容量为16KB的存储芯片,数据线8条,地址线为()A13条B14条C15条D16条

问答题现有如下存储芯片:2K×1的ROM、4K×1的RAM、8K×1的ROM。若用它们组成容量为16KB的存储器,前4KB为ROM,后12KB为RAM ,CPU的地址总线16位。各种存储芯片分别用多少片?

填空题要组成容量为4M×8位的存储器,需要()片4M×1位的芯片,或需()片1M×8位的存储芯片。