8、关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法正确的是（）。A．低频跨导gm放映了栅源电压对漏极电流的控制能力B．低频跨导gm是指在漏源电压为常数时，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压的微变量之比C．低频跨导gm是一个常数，与管子的工作电流和电压无关D．低频跨导gm会随管子工作点的不同而变化

8、关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法正确的是（）。

A．低频跨导gm放映了栅源电压对漏极电流的控制能力

B．低频跨导gm是指在漏源电压为常数时，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压的微变量之比

C．低频跨导gm是一个常数，与管子的工作电流和电压无关

D．低频跨导gm会随管子工作点的不同而变化

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错误

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功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
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电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
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电力场效应管MOSFET适合于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
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MOSFET的导通电阻非常小，所以导通损耗也非常小。
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已知三极管的ICQ=1mA，则在常温下跨导gm为（）A、19.2msB、38.5msC、77msD、154ms
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跨导gm反映了场效应管（）对（）控制能力，其单位为（）或（）。
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关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
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以下关于多跨静定梁的受力分析说法正确的是（）。A、先计算全部反力B、先计算上部反力C、做出层叠图D、将多跨静定梁拆成几个单跨静定梁E、按先基础后附属部分的顺序内力图
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N沟道JFET的跨导gm是（）A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小
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场效应管跨导gm表示（）对漏电流iD的控制能力的强弱。
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电力场效应晶体管（电力MOSFET）适合于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
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场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
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场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
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多选题关于设定广告有效频次的原则，以下说法正确的事（）。A品类关心度较低，需要较低频次B品类关心度高，需要较低频次C新上市商品，需要较高频次D市场占有率低的品牌，需要较低频次E市场数量较多，媒体投放量较大的品类，需要较低频次
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单选题MOSFET的温度特性体现为：（）。A温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高B温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降C温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高D温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
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填空题MOSFET的跨导的定义是（），反映了（）对（）的控制能力。
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