对 Flash 存储器的哪些操作会影响其读写寿命？该如何避免 Flash 的寿命损耗？
对 Flash 存储器的哪些操作会影响其读写寿命？该如何避免 Flash 的寿命损耗？
参考答案和解析
对
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【问题1】（3分）不同类型的存储器，其特性也不同，请完成表1-1中的空白处内容，在“易失性”栏中填写“是”或“否”，在“相对读写速度”栏中填写“快”、“中”或“慢”。表 1-1 存储器的设备特征存储器种类易失性相对读写速度SRAMDRAMNAND Flash
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是：（）。A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B.NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C.NOR Flash写入和擦除速度较慢D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
嵌入式存储器系统设计中，一般使用．三种存储器接口电路：NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路，以下叙述中错误的是(27) 。A.系统引导程序可以放在NORFlash中，也可以放在NAND Flash中B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性，其访问速度要大于Flash存储器
下列有关Flash存储器的描述，不正确的是（）A、Flash存储器属于非易失的存储器B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息
下列关于GPIO描述正确的是（）A、GPIO可以由CPU编程决定方向，但不能查询其状态B、GPIO通常用于连接外部的SDRAM，进行高速传输C、CPU可以通过编程，决定GPIO是输入、输出的通信功能，但不能是双向的D、GPIO可以用于模拟Flash的接口，对Flash存储器进行读写操作
单选题下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。ANOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术BNAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势CNOR Flash写入和擦除速度较慢D数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
单选题下列关于GPIO描述正确的是（）AGPIO可以由CPU编程决定方向，但不能查询其状态BGPIO通常用于连接外部的SDRAM，进行高速传输CCPU可以通过编程，决定GPIO是输入、输出的通信功能，但不能是双向的DGPIO可以用于模拟Flash的接口，对Flash存储器进行读写操作
多选题耐火砖的寿命与哪些因素（）。A砖的砌筑质量不好将大大缩短使用寿命B升、降压速度过快对砖的寿命影响较C升、降温速度过快对砖的寿命影响较大D操作温度过高对砖的损害程度较大，影响使用寿命