增强型MOS管可以采用自偏压和分压自偏压两种偏置方式。

增强型MOS管可以采用自偏压和分压自偏压两种偏置方式。


参考答案和解析
错误

相关考题:

耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。() 此题为判断题(对,错)。

丙类工作状态的栅偏压比截止栅压更负,若振荡管采用固定栅偏压,管子将恒处于饱和状态。() 此题为判断题(对,错)。

()场效应管能采取自偏压电路。A、增强型和结型B、耗尽型和结型C、都不能D、增强型和耗尽型

单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用()。 A.固定栅偏压B.固定自偏压C.栅极自给偏压D.BC相结合

场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。 A.增强型B.耗尽型C.增强型和耗尽型D.以上均不对

增强型MOS管放大电路,为何不可采用自给栅偏压的结构形式?

单偏压计算与双偏压计算各有何特点?如何正确选择柱配筋计算方式?双偏压验算如何操作?

单边带收发信机功放级采用金属陶瓷管的,其栅偏压应采用()A、固定栅偏压B、固定自偏压C、栅极自给偏压D、B与C相结合

偏压式偏置共射放大电路稳定工作点的效果受()影响。A、RCB、RBC、RED、VCC

单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用()A、固定栅偏压B、固定自偏压C、栅极自给偏压D、BC相结合

稳压管DZ和限流电阻R组成稳压稳压电路,稳压管的稳定电压作为调整管的()。A、正向偏压B、反向偏压C、反馈偏压D、工作偏压

分压式自偏压电路,又称栅极接()偏执电路A、正电位B、负电位C、零电位D、无电位

造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。()A、基区电导调制效应,发射区有偏压效应B、基区有偏压效应,发射区电导调制效应C、基区电导调制效应,基区有偏压效应D、发射区有偏压效应,基区有偏压效应

为了使雪崩光电二极管APD正常工作,在其P-N结上应加()。A、高正向偏压B、低正向偏压C、低反向偏压D、高反向偏压

MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和()两种类型。

直流偏置电路有固定偏流、电压负反馈、分压式电流负反馈等电路。其中以()负反馈电路的稳定性最好,应用也最广泛。A、固定偏流;B、电压;C、电流;D、固定偏压。

为了使雪崩光电二极管正常工作,在其P-N结上应加()A、高正向偏压B、低正向偏压C、低反向偏压D、高反向偏压

结型场效应管放大电路的偏置方式是()A、自给偏压电路B、外加偏压电路C、无须偏置电路D、栅极分压与源极自偏结合

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管

FET的自偏压只适用()所构成的放大电路;分压式自偏压电路中的栅极电阻Rg3一般很大,这是为了使()

CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

判断题自偏压是指光伏探测器的输出电流流过外电路负载电阻产生的压降就是他自身的正向偏压。A对B错

单选题为了使雪崩光电二级管正常工作,应在其P-N结上加()A高反向偏压B低正向偏压C高正向偏压D低反向偏压

单选题为了使雪崩光电二极管APD正常工作,在其P-N结上应加()。A高正向偏压B低正向偏压C低反向偏压D高反向偏压

单选题为了使雪崩光电二极管正常工作,在其P-N结上应加()A高正向偏压B低正向偏压C低反向偏压D高反向偏压

单选题计算钢筋混凝土偏心受压构件时,判别大小偏心受压的条件是(  )。A受拉钢筋屈服(大偏压),受压钢筋屈服(小偏压)B受拉钢筋用量少(大偏压),受压钢筋用量很大(小偏压)Ce′≥ea=M/N(大偏压),e′≤ea=M/N(小偏压)Dξ<ξb(大偏压);ξ>ξb(小偏压)

单选题单边带收发信机功放级采用金属陶瓷管的,其栅偏压应采用()A固定栅偏压B固定自偏压C栅极自给偏压DB与C相结合

单选题单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用()A固定栅偏压B固定自偏压C栅极自给偏压DBC相结合