利用反向偏压p－n结在入射光照射下产生光生电流的光器件是()。 A、LEDB、LDC、PIND、APD
微库仑分析中,偏压对于分析的影响是()。 A、低含量样品选择较高的偏压B、低含量样品选择较低的偏压C、高偏压对应较高的峰电流D、高偏压对应较低的峰电流
单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用()。 A.固定栅偏压B.固定自偏压C.栅极自给偏压D.BC相结合
发光二极管的工作条件是()。 A、加正向偏压B、发热C、加反向偏压D、光照
光电二极管产生光电流的大小主要取决于() A、反向偏压大小B、负载电阻C、照强度D、温度
激光器加上正向偏压，电流随着电压的增加而一直增大。
在恒压供电系统中，负载增大是指（）A、电源输出的电流增大B、电源输出的电流减小C、负载电阻增大D、负载电阻减小
单边带收发信机功放级采用金属陶瓷管的，其栅偏压应采用（）A、固定栅偏压B、固定自偏压C、栅极自给偏压D、B与C相结合
OC门输出端的公共集电极电阻的大小必须选择恰当，因为（）。 A、RC过大则带拉电流负载时输出的高电平将会在RC上产生较大的压降B、RC过大则带拉电流负载时输出的低电平将会在RC上产生较大的压降C、RC过小则输出低电平时将产生较大的灌电流D、RC过小则输出低电平时将产生较小的灌电流E、RC很大则带拉电流负载时输出的低电平将会在RC上产生较大的压降
氧化微库仑法测定硫含量时，样品峰矮粗，通过参数调整，正确的操作是（）。A、增大电阻B、减小电阻C、增加偏压D、减小偏压
单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用（）A、固定栅偏压B、固定自偏压C、栅极自给偏压D、BC相结合
稳压管DZ和限流电阻R组成稳压稳压电路，稳压管的稳定电压作为调整管的（）。A、正向偏压B、反向偏压C、反馈偏压D、工作偏压
造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
为了使雪崩光电二极管APD正常工作，在其P－N结上应加（）。A、高正向偏压B、低正向偏压C、低反向偏压D、高反向偏压
为了使雪崩光电二极管正常工作，在其P－N结上应加（）A、高正向偏压B、低正向偏压C、低反向偏压D、高反向偏压
结型场效应管放大电路的偏置方式是（）A、自给偏压电路B、外加偏压电路C、无须偏置电路D、栅极分压与源极自偏结合
FET的自偏压只适用（）所构成的放大电路；分压式自偏压电路中的栅极电阻Rg3一般很大，这是为了使（）
已知电动势E=1.5伏，内阻r=0.3欧，负载电阻电压降U=1.2伏。求电流I负载电阻R。
在RL串联电路中，已知电阻上的压降是120√，电感上的压降是100√，所以外电路电压是（）伏。A、220B、156C、320
单选题为了使雪崩光电二级管正常工作，应在其P-N结上加（）A高反向偏压B低正向偏压C高正向偏压D低反向偏压
单选题为了使雪崩光电二极管APD正常工作，在其P－N结上应加（）。A高正向偏压B低正向偏压C低反向偏压D高反向偏压
单选题为了使雪崩光电二极管正常工作，在其P－N结上应加（）A高正向偏压B低正向偏压C低反向偏压D高反向偏压
问答题已知电动势E=1.5伏，内阻r=0.3欧，负载电阻电压降U=1.2伏。求电流I负载电阻R。
单选题（）电路的特点是光生伏特器件在自偏置电路中具有输出功率，且当负载电阻为最佳负载时具有最大的输出功率。A自偏置B恒流C零伏偏置D反向偏置
单选题单边带收发信机功放级采用金属陶瓷管的，其栅偏压应采用（）A固定栅偏压B固定自偏压C栅极自给偏压DB与C相结合
判断题光伏器件外加反向偏压时，暗电流随反向偏压的增加有所增大，最后趋近于反向饱和电流。A对B错
单选题单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用（）A固定栅偏压B固定自偏压C栅极自给偏压DBC相结合