2、关于氧化速率下面哪种描述是正确的:A.生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律B.温度升高氧化速率迅速增加C.(111)硅比(100)硅氧化得快D.有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低E.生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律F.生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律

2、关于氧化速率下面哪种描述是正确的:

A.生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律

B.温度升高氧化速率迅速增加

C.(111)硅比(100)硅氧化得快

D.有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低

E.生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律

F.生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律


参考答案和解析
温度升高氧化速率迅速增加;( 111 )硅比( 100 )硅氧化得快;生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律

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下面关于EVDORevA描述不正确的是() A.达到前向峰值速率3.1MBps,反向峰值速率1.8MBpsB.EVDO前向没有功率控制,但是有动态速率控制C.使用独立的载频来提过数据业务,不和语音业务共享资源D.EVDORevA可以提供多级Qos服务

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关于ADSL接入技术,下面的论述正确的是(15)。A.上行速率大于下行速率B.上行速率等于下行速率C.上行速率小于下行速率D.上网与打电话不能同时进行

下面关于磷酸锌粘固剂的描述,正确的是 A、粉剂中主要是氧化锌B、高温时凝固快C、可溶于唾液D、牙髓刺激较大E、凝固后体积膨胀

关于HTTP协议.下面描述不正确的是( )

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关于AT决定反向发送速率的因素,下面说法正确的是()A、要发送的数据量B、最高速率的限制C、反向信道的忙闲D、以上都正确

关于涂料使用的状态,下面哪种描述是正确的是()。A、涂料表面有一层保护膜B、涂料颜色均匀C、涂料下部有沉淀D、涂料非常粘稠

以下关于饮用水箱数量及安装位置的描述正确的是()。A、1个、后货舱地板下面B、1个、后货舱后面C、2个、后货舱地板下面D、2个、后货舱后面

下面对3G接入速率描述不正确的是()A、室内静止环境:2MbpsB、室外快步行环境:384KbpsC、室外快步行环境:1024bpsD、室外快速移动环境:144Kbp

下面关于M600单板描述正确的是()A、OTUV接入信号速率固定为2.5Gb/sB、SRM42的支路接口信号速率固定为622Mb/sC、GEM2单板的支路接入信号为千兆以太网信号D、NCP监控通道的速率为2Mb/s

关于SRM41单板的描述,请问下面哪个正确()A、群路指标(APD无fec),输入光功率范围是-8~31B、具有APS功能,可以通过网管设置C、支路1和支路2可以设置不同的速率D、支路模块类型为sx:1310nm,lx:1550nm

关于影响氧化还原反应速率的因素,下列说法正确的是()A、不同性质的氧化剂反应速率可能相差很大。B、一般情况下,增加反应物的浓度就能加快反应速度。C、所有的氧化还原反应都可通过加热的方法来加快反应速率。D、催化剂的使用是提高反应速率的有效方法。

下面关于同步信道描述正确的是:()。A、同步信道能够提供系统时间B、同步信道能够提供基站长码状态C、同步信道能够提供基站PN偏移D、同步信道速率固定为4800bpsE、同步信道帧长80ms

下面哪个关于RLC层速率的描述是不正确()A、小区的编码方式对RLC速率会产生影响B、小区各种EGPRS编码方式的重传率对RLC层速率会产生影响C、小区初始EGPRS编码方式设置对RLC层速率会产生影响D、小区PS用户共享数会对RLC层速率会产生影响

关于CDMA中覆盖和容量的说法,下面描述正确的是()A、前向覆盖与基站分布、不同业务速率用户分布密切相关B、与反向相比,业务速率对前向覆盖的影响更大C、CDMA增加了数据业务后,覆盖表现为反向受限D、CDMA用户获得网络支持的数据速率越高,获得的覆盖半径越大

下面关于ADSL描述正确的是()A、上下行传输速率不对称的DSL技术B、上下行传输速率对称DSL技术C、上行可用速率比下行速率大D、下行可用速率比上行速率大

关于OTUK帧的说法,下面正确的是()A、OTUk帧的结构相同B、OTUk帧的结构不相同C、OTUk帧的发送速率相同D、OTUk帧的发送速率不相同

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