2、关于氧化速率下面哪种描述是正确的:A.生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律B.温度升高氧化速率迅速增加C.(111)硅比(100)硅氧化得快D.有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低E.生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律F.生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律
2、关于氧化速率下面哪种描述是正确的:
A.生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律
B.温度升高氧化速率迅速增加
C.(111)硅比(100)硅氧化得快
D.有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低
E.生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律
F.生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律
参考答案和解析
温度升高氧化速率迅速增加;( 111 )硅比( 100 )硅氧化得快;生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律
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下面关于EVDORevA描述不正确的是() A.达到前向峰值速率3.1MBps,反向峰值速率1.8MBpsB.EVDO前向没有功率控制,但是有动态速率控制C.使用独立的载频来提过数据业务,不和语音业务共享资源D.EVDORevA可以提供多级Qos服务
下面关于EVDO描述正确的是() A.与IS-95A.B.CDMA20001XRTT同一频段B.EVDORev0前向峰值速率2.4Mbps,反向峰值速率153.6kbpsC.EVDORevA前向峰值速率是3.1Mbps,反向峰值速率是1.8MbpsD.能同时支持语音和数据业务
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下面关于M600单板描述正确的是()A、OTUV接入信号速率固定为2.5Gb/sB、SRM42的支路接口信号速率固定为622Mb/sC、GEM2单板的支路接入信号为千兆以太网信号D、NCP监控通道的速率为2Mb/s
关于SRM41单板的描述,请问下面哪个正确()A、群路指标(APD无fec),输入光功率范围是-8~31B、具有APS功能,可以通过网管设置C、支路1和支路2可以设置不同的速率D、支路模块类型为sx:1310nm,lx:1550nm
关于影响氧化还原反应速率的因素,下列说法正确的是()A、不同性质的氧化剂反应速率可能相差很大。B、一般情况下,增加反应物的浓度就能加快反应速度。C、所有的氧化还原反应都可通过加热的方法来加快反应速率。D、催化剂的使用是提高反应速率的有效方法。
下面哪个关于RLC层速率的描述是不正确()A、小区的编码方式对RLC速率会产生影响B、小区各种EGPRS编码方式的重传率对RLC层速率会产生影响C、小区初始EGPRS编码方式设置对RLC层速率会产生影响D、小区PS用户共享数会对RLC层速率会产生影响
关于CDMA中覆盖和容量的说法,下面描述正确的是()A、前向覆盖与基站分布、不同业务速率用户分布密切相关B、与反向相比,业务速率对前向覆盖的影响更大C、CDMA增加了数据业务后,覆盖表现为反向受限D、CDMA用户获得网络支持的数据速率越高,获得的覆盖半径越大
单选题下面哪个关于RLC层速率的描述是不正确()A小区的编码方式对RLC速率会产生影响B小区各种EGPRS编码方式的重传率对RLC层速率会产生影响C小区初始EGPRS编码方式设置对RLC层速率会产生影响D小区PS用户共享数会对RLC层速率会产生影响
多选题下面关于EVDO描述正确的是()A与IS-95A、B、CDMA20001XRTT同一频段BEVDORev0前向峰值速率2.4Mbps,反向峰值速率153.6kbpsCEVDORevA前向峰值速率是3.1Mbps,反向峰值速率是1.8MbpsD能同时支持语音和数据业务