结型场效应管栅源之间的PN结反向偏置,因此,其输入电阻很高。

结型场效应管栅源之间的PN结反向偏置,因此,其输入电阻很高。


参考答案和解析
A

相关考题:

就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。 A、多B、少C、大D、小

PN结反向偏置时,处于截至状态,呈高电阻,反向电流小。() 此题为判断题(对,错)。

晶体三极管放大时,它的两个PN结的工作状态为()。 A、均处于正向偏置B、均处于反向偏置C、发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置D、发射结处于反向偏置,集电结处于正向偏置

晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置,集电结反向偏置B.发射结反向偏置,集电结正向偏置C.发射结正向偏置,集电结反向偏置D.发射结正向偏置,集电结正向偏置

三极管处于截止状态时( )。 A.发射结正向偏置,集电结反向偏置B.发射结反向偏置,集电结反向偏置C.发射结正向偏置,集电结正向偏置D.发射结反向偏置,集电结正向偏置

PN结具有单向导电性,PN结上承受的这一作用方向的电压称()偏置电压,简称PN结正向偏置。 A、正向B、反向C、双向D、逆向

PN结的单向导电性指的是 PN结()偏置时导通,()偏置时截止的特性 。

晶体三极管工作在饱和区,发射结、集电结的偏置应()。 A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结正向偏置,集电结正向偏置C、发射结反向偏置,集电结反向偏置D、发射结反向偏置,集电结正向偏置

晶体三极管正常工作的基本条件是()。 A、发射结加反向偏置、集电结正反向偏置B、发射结加反向偏置、集电结加反向偏置C、发射结加正向偏置、集电结加正向偏置D、发射结加正向偏置、集电结加反向偏置

结型场效应管工作时,要求栅源之间处于反偏状态() 此题为判断题(对,错)。

PN结反向偏置时,外加电压削弱了内电场。() 此题为判断题(对,错)。

下列关于场效应管的说法中,错误的是: A、场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOSFET)B、场效应管工作于放大状态时,结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说,场效应管的输入电阻都比较高,结型高达107Ω,绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说,场效应管的放大能力大都比较弱

结型场效应管用作放大时,输入端G、S间应保持()。A、反向偏置B、正向偏置C、正向、反向偏置均可

PN结反向偏置时,应该是N区的电位比P区的电位()。

晶体管工作在饱和区的条件是()。A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结正向偏置,集电结正向偏置D、发射结反向偏置,集电结反向偏置

结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。

PN结反向偏置时,空间电荷区将变()。

结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。

PN结反向向偏置时,其内电场被()。A、削弱B、增强C、不变D、不确定

对于结型场效应管,栅源极之间的PN结()A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置

结型场效应管用作放大时,其栅源极之间应加()电压。

与反向偏置相比,正向偏置时PN结的宽度()、()等效电阻。

为了使结型场效应管正常工作,两个PN结必须加()。

结型场效应管的栅、源极之间应加()电压。

PN结反向偏置时,PN结的内电场()。PN具有()特性。

PN结的P区接电源负“极”,N区接电源正极,称反向偏置接法。()

单选题结型场效应管利用栅源极间所加的()来改变导电沟道电阻。A反偏电压B反向电流C正偏电压D正向电流

单选题无论是PNP型还是NPN型三极管,工作在放大状态时其条件是()A发射结正向偏置,集电结反向偏置B发射结反向偏置,集电结正向偏置C发射结正向偏置,集电结正向偏置D发射结反向偏置,集电结反向偏置