P型半导体是掺入三价元素形成的,其载流子为空穴。

P型半导体是掺入三价元素形成的,其载流子为空穴。


参考答案和解析
错误

相关考题:

在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

在纯净半导体中,掺入三价元素,就会形成()型半导体,如掺入五价元素,就会形成()型半导体。 A、P,NB、N,PC、P,PD、N,N

P型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的 A、电子B、空穴C、三价硼元素D、五价磷元素

()空穴为P型半导体的载流子。

P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

怎样区分N型半导体和P型半导体()A、N型半导体掺入5价元素,P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素,P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同,但接头不同D、N型半导体的空穴过剩,P型半导体的空穴不

对于P型半导体来说,下列说法正确的是:()。A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的;B、它的载流子是空穴;C、它对外呈现正电;D、它的多数载流子是空穴。

本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

在杂质半导体中,()是掺入三价元素形成的。A、本征半导体B、PN结C、N型半导体D、P型半导体

对于P型半导体来说,下列说法正确的是:()A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的B、它的载流子是空穴C、它对外呈现正电D、以上说法都错

若在四价元素半导体中掺入五价元素原子,则可构成()型半导体,参与导电的多数载流子是()。

n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量(),p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量()在价带附近形成掺杂的能级。

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。

下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子

本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是()。

本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是();若掺入微量的三价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是()。

本征半导体掺入微量的三价元素形成的是()型半导体,其多子为()。

在本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是()型掺杂半导体,其中多数的载流子是();若在本征半导体中掺入少量的五价元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成()A、P型半导体,其少子为自由电子B、N型半导体,其多子为自由电子C、P型半导体,其少子为空穴D、N型半导体,其多子为空穴

在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

P型半导体是在本征半导体中加入以下何种物质后形成的()A、电子B、空穴C、三价硼元素D、五价磷元素

N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。

自然界物质按导电能力分为()三种。纯净的半导体又称为()半导体,用的最多的半导体是硅和锗,它们都具有晶体结构,在纯净半导体中掺入三阶元素后形成空穴P型半导体,掺入五价元素后形成电子N型半导体,半导体受()的影响最大。

若在四价元素半导体中掺入三价 元素原子,则可构成()型半导体,参与导电的多数载流子是()。

在纯净的半导体中掺入微量的三价元素就成为()型半导体,其中()是多数载流子。

填空题本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

单选题对于P型半导体来说,下列说法正确的是:()A在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的B它的载流子是空穴C它对外呈现正电D以上说法都错