12、抑制性突触后电位是A．由突触前末梢递质释放减少而产生B．使突触后膜电位远离阈电位水平C．由突触后膜Na+电导增加而产生D．由突触后膜Ca2+电导增加而产生E．是一种去极化抑制的突触后电位
12、抑制性突触后电位是
A．由突触前末梢递质释放减少而产生
B．使突触后膜电位远离阈电位水平
C．由突触后膜Na+电导增加而产生
D．由突触后膜Ca2+电导增加而产生
E．是一种去极化抑制的突触后电位
参考答案和解析
ABCD
相关考题：
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（）A兴奋性突触后电位和局部电位B抑制性突触后电位和局部电位C兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
单选题关于棘慢复合波的产生机制，正确的是（ ）。A棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C棘波是由抑制性突触后电位构成，慢波是由兴奋性突触后电位构成D棘波是由兴奋性突触后电位构成，慢波是由抑制性突触后电位构成E棘波、慢波是由突触前电位构成
单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）AK+BH+CCa2+DCl-ENa+