14、NOR型Flash可以实现随机存储。

14、NOR型Flash可以实现随机存储。


参考答案和解析
错误

相关考题:

关于Flash存储设备的描述,不正确的是()。 A、Flash存储设备利用Flash闪存芯片作为存储介质B、Flash存储设备采用USB的接口与计算机连接C、不可对Flash存储设备进行格式化操作D、Flash存储设备是一种移动存储交换设备

在下面四种半导体存储器中,哪一种是动态随机存取存储器?A.DDR SDRAMB.Flash ROMC.EEPROMD.Cache

进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是(13)。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B.NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作

进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是______。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B.NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作A.B.C.D.

在下面四种半导体存储器中,( )采用的是动态随机存取存储器。A.RDRAMB.Flash. ROMC.EEPROMD.Cache

下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述,其中错误的是()。A.系统使用的RAM有SRAM、DRAM等多种B.Flash存储器分为NOR Flash和NAND Flash两种C.FRAM已得到使用D.目前还没有使用Cache存储器

下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是:()。A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B.NAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势C.NOR Flash写入和擦除速度较慢D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash

下列那些存储器可以做嵌入式系统的主存( ) A. Nor FlashB. 移动硬盘C. SRAMD. EPROME. Nand Flash

嵌入式存储器系统设计中,一般使用.三种存储器接口电路:NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路,以下叙述中错误的是(27) 。A.系统引导程序可以放在NORFlash中,也可以放在NAND Flash中B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性,其访问速度要大于Flash存储器

()是影响NOR flash性能的因素。 A.低写入和擦除速度B.传输效率低C.需要特殊的系统接口D.存储容量小

在嵌入式系统设计中,一般包含多种类型的存储资源,比如ROM、EEPROM、NAND Flash、Nor Flash、DDR、SD卡等。下面关于这些资源的描述中,正确的是______。A.EEPROM是电不可擦除的ROMB.Nand Flash上面的代码不能直接运行,需要通过加载的过程C.NOR Flash上面的代码不能直接运行,需要通过加载的过程D.ROM是用来存储数据的,其上面的数据可以随意更新,任意读取

以下四个选项中,不属于NOR Flash的存储特性的是( )。A.在进行擦除前需先将目标块内所有位都写为0B.应用程序不能直接在NOR Flash内运行C.写操作只能将数据位从1写成0,不能从0写成1D.存储容量一般较小,多用于存储代码

NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。()A、NOR的读速度比NAND稍慢一些B、NAND的写入速度比NOR慢很多C、NAND的擦除速度远比NOR的慢D、大多数写入操作需要先进行擦除操作

嵌入式系统常用的Flash有 NOR Flash和()Flash两种。

说明NOR FLASH与NAND FLASH的主要区别,使用时应如何选用?

()是影响NOR flash性能的因素。A、低写入和擦除速度B、传输效率低C、需要特殊的系统接口D、存储容量小

Nand Flash比Nor Flash成本高,可靠性差。

简述NOR Flash与NAND Flash的区别。

下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是()。A、NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B、NAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势C、NOR Flash写入和擦除速度较慢D、数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash

数码照相机的存储卡一般是使用()存储器A、ZIPB、NAND型闪存C、NOR型闪存D、LS-120

FLASH的中文含义是()。A、闪速存储器B、随机存储器C、只读存储器D、电可擦除可编程存储器

关于Flash存储设备的描述,不正确的是()A、Flash存储设备利用Flosh闪存芯片作为存储介质B、Flash存储设备采用uSB的接口与计算机连接C、不可对Flash存储设备进行格式化操作D、Flash存储设备是一种移动存储交换设备

问答题说明NOR FLASH与NAND FLASH的主要区别,使用时应如何选用?

单选题NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。()ANOR的读速度比NAND稍慢一些BNAND的写入速度比NOR慢很多CNAND的擦除速度远比NOR的慢D大多数写入操作需要先进行擦除操作

单选题下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是()。ANOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术BNAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势CNOR Flash写入和擦除速度较慢D数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash

填空题嵌入式系统常用的Flash有 NOR Flash和()Flash两种。

单选题()是影响NOR flash性能的因素。A低写入和擦除速度B传输效率低C需要特殊的系统接口D存储容量小

判断题Nand Flash比Nor Flash成本高,可靠性差。A对B错