在嵌入式系统设计中，一般包含多种类型的存储资源，比如ROM、EEPROM、NAND Flash、Nor Flash、DDR、SD卡等。下面关于这些资源的描述中，正确的是______。A.EEPROM是电不可擦除的ROMB.Nand Flash上面的代码不能直接运行，需要通过加载的过程C.NOR Flash上面的代码不能直接运行，需要通过加载的过程D.ROM是用来存储数据的，其上面的数据可以随意更新，任意读取
在嵌入式系统设计中，一般包含多种类型的存储资源，比如ROM、EEPROM、NAND Flash、Nor Flash、DDR、SD卡等。下面关于这些资源的描述中，正确的是______。
A.EEPROM是电不可擦除的ROM
B.Nand Flash上面的代码不能直接运行，需要通过加载的过程
C.NOR Flash上面的代码不能直接运行，需要通过加载的过程
D.ROM是用来存储数据的，其上面的数据可以随意更新，任意读取
B.Nand Flash上面的代码不能直接运行，需要通过加载的过程
C.NOR Flash上面的代码不能直接运行，需要通过加载的过程
D.ROM是用来存储数据的，其上面的数据可以随意更新，任意读取
参考解析
解析：本题考查嵌入式系统存储器方面的基础知识。在嵌入式系统设计中，一般包含多种类型的存储资源，比如ROM、EEPROM、NAND Flash、Nor Flash、DDR、SD卡等。ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。EPROM、EEPROM、Flash ROM（NOR Flash和NAND Flash），性能同ROM，EEPROM被称为电擦除的ROM。NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放量大的数据。由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM—样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行（XI P,eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。但是NAND上面的代码不能直接运行。从使用角度来看，NOR闪存与NAND闪存是各有特点的：（1）NOR的存储密度低，所以存储一个字节的成本也较高，而NAND闪存的存储密度和存储容量均比较高；（2）NAND闪存在擦、写文件（特别是连续的大文件）时速度非常快，非常适用于顺序读取的场合，而NOR的读取速度很快，在随机存取的应用中有良好的表现。RAM（random access memory，随机存储器）的内容可按需随意取出或存入，且存取速度与存储单元的位置无关。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序和数据。按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）。所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对地，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会。
相关考题：
图2为常见ROM的分类图。图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是A．PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROMB．EPROM、EEPROM、PROM、Flash ROMC．EEPROM、Flash ROM、PROM、EPROMD．Flash ROM、PROM、EPROM、EEPROM
进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是(13)。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是______。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作A．B．C．D．
下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述，其中错误的是（）。A.系统使用的RAM有SRAM、DRAM等多种B.Flash存储器分为NOR Flash和NAND Flash两种C.FRAM已得到使用D.目前还没有使用Cache存储器
下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述，其中正确的是：（）。A.静态存储器SRAM是非易失性存储器B.动态存储器DRAM是非易失性存储器C.Flash存储器是非易失性存储器D.EEPROM是易失性存储器
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是：（）。A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B.NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C.NOR Flash写入和擦除速度较慢D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
嵌入式存储器系统设计中，一般使用．三种存储器接口电路：NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路，以下叙述中错误的是(27) 。A.系统引导程序可以放在NORFlash中，也可以放在NAND Flash中B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性，其访问速度要大于Flash存储器
NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）A、NOR的读速度比NAND稍慢一些B、NAND的写入速度比NOR慢很多C、NAND的擦除速度远比NOR的慢D、大多数写入操作需要先进行擦除操作
下述关于FlashROM的描述中不正确的是（）。A、Flash ROM中的内容不可擦除B、Flash ROM是一种特殊的EEPROMC、Flash ROM具有容量大、速度快、价格低的特点D、Flash ROM中的内容不需任何设备，在计算机内部就可改写
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。A、NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B、NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C、NOR Flash写入和擦除速度较慢D、数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
单选题NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）ANOR的读速度比NAND稍慢一些BNAND的写入速度比NOR慢很多CNAND的擦除速度远比NOR的慢D大多数写入操作需要先进行擦除操作
单选题下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。ANOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术BNAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势CNOR Flash写入和擦除速度较慢D数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
判断题Nand Flash比Nor Flash成本高，可靠性差。A对B错